19.0-26.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2007年8月 - 修订版20 - 8 - 07
U1003-BD
芯片设备布局
特点
次谐波发射
集成IR混频器， LO缓冲器&输出放大器
2.0 dBm的LO驱动电平
15.0分贝镜像抑制，10.0 dB转换增益
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
MIMIX宽带的19.0-26.0 GHz的砷化镓MMIC变送器具有
20.0 dBm的输出三阶截取和15.0分贝图像
对面的带阻。该装置是一个镜像抑制
次谐波的反并联二极管混频器之后的均衡
2级的输出放大器，并包括一个集成的LO缓冲器
放大器。该图像抑制混频器降低了对
功率放大器之前，无用边带滤波。该
用一个分谐波混频器使得提供LO的
比对于在这些频率基本混合器容易。 I和Q
提供混合器输入和一个外部90度混合是
需要选择所需的边带。这MMIC采用MIMIX
宽带公司的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型技术，
和基于电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该芯片具有表面钝化
保护和过孔提供了一个坚固的一部分，与背面和
镀金，让无论是导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT
应用程序。
概述
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ ID1，ID2 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+ 5.0VDC
320 ， 165毫安
+0.5伏
0.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ）
LO输入驱动器（P
LO
)
镜像抑制
隔离2XLO射频
输出三阶截取点（ OIP3 ）
漏极偏置电压（ Vd1的）
漏极偏置电压（ Vd2的）
栅极偏置电压（ Vg1,2 ）
电源电流（ ID1） （ Vd1的= 4.0V ， V G = -0.1V典型）
电源电流（ ID2） （ Vd2的= 4.0V ， V G = -0.1V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
mA
分钟。
19.0
19.0
8.0
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-
-
典型值。
-
-
-
-
14.0
10.0
+2.0
15.0
-12.0
待定
+4.0
+4.0
-0.1
230
116
马克斯。
26.0
26.0
14.5
3.0
-
-
-
-
-
-
+4.5
+4.5
+0.3
280
140
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