19.0-26.0 GHz的砷化镓变送器
QFN封装， 7x7毫米
2006年8月 - 修订版8月31日 - 06
U1003-QD
应用笔记[1]偏置
- 此设备是由单独的偏置d1和Vd2的与Vd1的= 4.0V ，ID1 = 230毫安和操作
VD2 = 4.0V ，ID2 = 116毫安。它建议使用有源偏置，以保持电流恒定的射频功率和
温度而变化;这给出了最可重复的结果。取决于电源电压提供的电源
耗散的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低的值
电阻器串联在漏极供应用于感测电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的
漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.1V 。通常，所述栅极被保护
用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负
栅极偏压可施加正的漏极供应之前。
MTTF表（ TBD）
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
C / W
C / W
C / W
E+
E+
E+
E+
E+
E+
偏置条件：
VD1 = 4.0V ，VD2 = 4.0V ，ID1 = 230毫安，ID2 = 116毫安
典型用途
XU1003-QD
边带
REJECT
XB1004
XP1013
在IF
2 GHz的
RF OUT
21.2-23.6 GHz的
LO(+2.0dBm)
9.6-10.8 GHz的（ USB操作）
11.6-12.8千兆赫（ LSB操作）
MIMIX宽带MMIC基19.0-26.0 GHz的发射器框图
（更改LO与IF频率，要求允许设计操作高达26千兆赫）
MIMIX宽带的19.0-26.0 GHz的XU1003 -QD的GaAs MMIC变送器可在饱和的无线电应用中使用，
线性调制方案多达16值QAM 。发射机可以在从上部和下部边带的应用中使用
19.0-26.0 GHz的。
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电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第4 6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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