32.0-45.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2007年6月 - 修订版28月-07
U1004-BD
芯片设备布局
特点
次谐波发射
集成混频器， LO倍频器/缓冲器&输出放大器
14.0 dBm的输出三阶截取点（ OIP3 ）
+4.0 dBm的LO驱动电平
5.0分贝转换增益
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
MIMIX宽带的32.0-45.0 GHz的砷化镓MMIC变送器具有
整个波段14.0 dBm的输出三阶截取。这
装置是平衡的，电阻性的pHEMT混合器之后是
分布式输出放大器，并包括一个集成的LO
倍频和LO缓冲放大器。使用集成的LO
倍频和LO缓冲放大器，使提供的LO的
比对于在这些频率基本混合器容易。 IF和
如果设置混频器输入和外部180度混合
需要选择所需的边带。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.15
µm
砷化镓PHEMT器件模型
技术，并且是基于电子束光刻来
确保高重复性和均匀性。该芯片具有表面
钝化保护，并提供一个坚固的部分与背面
通孔和镀金，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井
适用于毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信
和VSAT应用。
概述
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ ID1，ID2 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
200 ， 180毫安
+0.3 VDC
0.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
（ 3 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ）
2
LO输入驱动器（P
LO
)
隔离LO / RF @ LOX1
隔离LO / RF @ LOX2
输出三阶截取点（ OIP3 ）
1,2
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
栅极偏置电压（ Vg1,2 ）
栅极偏置电压（ Vg3,4 ）混频器，倍频器
电源电流（ ID1） （ Vd1的= 4.0V ， V G = -0.3V典型）
电源电流（ ID2） （ Vd2的= 4.0V ， V G = -0.3V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
mA
分钟。
35.0
32.0
16.0
DC
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-1.2
-
-
典型值。
-
-
-
-
10.0
5.0
+4.0
待定
待定
+14.0
+4.0
-0.3
-0.5
160
145
马克斯。
45.0
42.0
25.0
4.0
-
-
-
-
-
-
+5.5
+0.1
+0.1
180
165
第1页7
（ 1 ）采用恒定电流测量。
（ 2 ）用0.0 dBm的LO输入驱动电平测量。
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