32.0-45.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2006年8月 - 修订版02 - 8 - 06
特点
次谐波发射
集成混频器， LO倍频器/缓冲器&输出放大器
14.0 dBm的输出三阶截取点（ OIP3 ）
+4.0 dBm的LO驱动电平
5.0分贝转换增益
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
MIMIX宽带的32.0-45.0 GHz的砷化镓MMIC变送器具有
整个波段14.0 dBm的输出三阶截取。这
装置是平衡的，电阻性的pHEMT混合器之后是
分布式输出放大器，并包括一个集成的LO
倍频和LO缓冲放大器。使用集成的LO
倍频和LO缓冲放大器，使提供的LO的
比对于在这些频率基本混合器容易。 IF和
如果设置混频器输入和外部180度混合
需要选择所需的边带。这MMIC用途
MIMIX宽带的0.15
µm
砷化镓PHEMT器件模型
技术，并且是基于电子束光刻来
确保高重复性和均匀性。该芯片具有表面
钝化保护，并提供一个坚固的部分与背面
通孔和镀金，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井
适用于毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信
和VSAT应用。
芯片设备布局
U1004
概述
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ ID1，ID2 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
200 ， 180毫安
+0.3 VDC
0.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
3
MTTF表
3
（ 3 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ）
2
LO输入驱动器（P
LO
)
隔离LO / RF @ LOX1
隔离LO / RF @ LOX2
输出三阶截取点（ OIP3 ）
1,2
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
栅极偏置电压（ Vg1,2 ）
栅极偏置电压（ Vg3,4 ）混频器，倍频器
电源电流（ ID1） （ Vd1的= 4.0V ， V G = -0.3V典型）
电源电流（ ID2） （ Vd2的= 4.0V ， V G = -0.3V典型）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
mA
分钟。
35.0
32.0
16.0
DC
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-1.2
-
-
典型值。
-
-
-
-
10.0
5.0
+4.0
待定
待定
+14.0
+4.0
-0.3
-0.5
160
145
马克斯。
45.0
42.0
25.0
4.0
-
-
-
-
-
-
+5.5
+0.1
+0.1
180
165
第1页7
（ 1 ）采用恒定电流测量。
（ 2 ）用0.0 dBm的LO输入驱动电平测量。
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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