10.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2007年3月 - 修订版01 -MAR -07
U1005-BD
芯片设备布局
特点
集成混频器， LO缓冲器和输出放大器
8分贝转换增益
15分贝镜像抑制
+17 dBm的OIP3
+6 dBm的LO驱动电平
-12 dBm的LO泄漏功率
100 ％晶圆RF和DC测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
XU1005-BD
MIMIX宽带的10.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC变送器提供+17
dBm的输出三阶截取和整个15分贝镜像抑制
乐队。该装置是一个镜像抑制，平衡混频器后面跟两
级的输出放大器。该图像抑制混频器降低了对
功率放大器之前，无用边带滤波。 I和Q混频器
还提供输入端和一个外部90度混合是需要
选择想要的边带。这MMIC采用MIMIX宽带的0.15
µm
砷化镓PHEMT器件模型技术，并基于电子
束光刻，以确保高的可重复性和均匀性。该芯片
具有表面钝化保护，并提供一个坚固的部分与
通孔和镀金背面，让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是非常适合
毫米波点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT
应用程序。
概述
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ Id1,2,3 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
250150250毫安
+0.3 VDC
0.0 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
输出回波损耗RF （ S22 ）
小信号转换增益IF / RF （ S21 ）
LO输入驱动器（P
LO
)
隔离LO / RF
输出三阶截取点（ OIP3 ）
漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）
源偏置电压（ VS1）
栅极偏置电压（ VG1 ） ，混频器
栅极偏置电压（ Vg2,3 ）
电源电流（ ID1） （ Vd1的= 5.0V ）
电源电流（ ID2） （ Vd2的= 5.0V ， V G = -0.1V典型）
电源电流（ ID3 ） （ Vd3的= 5.0V ， V G = -0.1V典型）
电源电流（ ISS ） （VSS = -5.0V ）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
mA
mA
mA
分钟。
10.0
7.0
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
18.0
9.0
+6.0
18.0
+17.0
+5.0
-5.0
-0.6
-0.1
140
70
140
140
马克斯。
18.0
21.0
3.0
-
-
-
-
-
+5.5
-
-
+0.1
200
100
200
200
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