18.0-36.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2007年7月 - 修订版7月27日07
U1009-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是由单独的偏置操作的Vd的（1,2,3） = 5.0V ，
VSS = -5.0V ，ID1 = 230毫安，ID2 = 140毫安， ID3 = 75mA到ISS = 50毫安。此外，混频器和倍频器的偏置，还需要
与VG3 = VG4 = -0.5V 。调整高于或低于此值VG3和VG4可转换增益产生不利影响， LO / RF
隔离和截取点性能。增益控制可以从0.0变化VG1调整到-1.2 V与0.0 V
提供最小衰减和-1.2 V提供最大衰减。此外，还建议使用主动
偏置保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。
取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是单个
晶体管或低功率运算放大器，用串联的漏极供给一个低值电阻器用于检测
电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。典型的浇口
需要做这个电压是-0.2V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。另外，
确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极前
供应量。
应用笔记[2]偏置安排
-
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的排水管或
栅极焊盘直流旁路电容器（〜 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）也
建议所有DC或组合的直流偏置垫（如果门或排水渠连接在一起） 。
对于个人级的偏置 - 每个DC垫（ Vd1,2,3 ，VSS和Vg1,2,3,4 ）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF的）
如靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
XU1009 -BD平均无故障时间（小时）与背板温度（摄氏度）
标称数据偏置条件
1.0E+10
1.0E+09
1.0E+08
平均无故障时间（小时）
1.0E+07
1.0E+06
1.0E+05
1.0E+04
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
背板温度（C ）
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第6 9
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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