7.5-22.5 / 15.0-45.0 GHz有源倍频器
QFN ， 3×3毫米
2008年1月 - 修订版10 -JAN- 08
X1000-QT
应用笔记[1]偏置
-
建议单独偏置每倍频阶段Vd的固定电压（ 1,2 ） = 5.0V ， VSS = -5.0V和
VG1 = -0.6V 。典型的直流电流为Id1 = 80毫安，ID2 = 140毫安和ISS = 50毫安。 VG2可用于Vd2的主动控制偏置，或它
可以设定为GND和V d2将自偏压在约140毫安。最大输出功率达到与VSS = -5.0V和ISS = 50毫安
但该设备将运行降低偏置VSS = -2.0V和ISS = 25毫安。此外，还建议使用有源偏置的Vd2的用
VG2保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据不同的
可用的电源电压和功率耗散的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率操作
放大器，具有串联地用于感测电流的漏极供给的低值电阻。所述的pHEMT的栅极进行控制，以
保持正确的漏极电流，因此漏极电压。典型的栅极电压VG2 = -0.1V 。典型地，栅极保护用
硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可用
前申请的积极漏极供电。
MTTF
1.0E+05
1.0E+04
平均无故障时间（年）
1.0E+03
1.0E+02
1.0E+01
偏置条件：
VD1 = Vd2的= 4.0V ，ID1 = 40毫安，ID2 = 140 mA时， VSS = -5.0V ， ISS = 50毫安
1.0E+00
55
65
75
温度（℃）
平均无故障时间是从单个装置的加速寿命的时间数据来计算，并假设等温背板。
偏置条件： Vd1,2 = 5.0V ， Id1,2 = 220毫安， VSS = -5.0V ， ISS = 50毫安
85
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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