13.5-17.0 / 27.0-34.0 GHz的倍频
QFN封装，采用3x3mm
2008年2月 - 修订版06 -FEB -08
X1007-QT
芯片设备布局
特点
集成的增益，倍频和驱动器级
单正电源， + 5V
集成旁路电容器
20.0 dBm的输出功率饱和
35.0 dBc的基本抑制
片上ESD保护
100 ％的RF ， DC和输出功率测试
的3x3 QFN封装
符合RoHS
概述
MIMIX宽带的13.5-17.0 / 27.0-34.0 GHz的砷化镓MMIC
倍频器集成了一个增益级，被动倍频和驱动
放大器在单个设备上。该XX1007 - QT有
自偏置架构需要一个正电源
（ + 5V）仅集成在芯片上的旁路和DC
阻塞电容器无需任何外部
组件。该器件采用MIMIX宽带的0.15um
砷化镓PHEMT器件模型技术，并基于
电子束光刻，以确保高的重复性和
均匀性。 XX1007 - QT集成了ESD结构
保护，并采用低成本3x3mm的QFN封装。
该设备是非常适合用于毫米波点至点
收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ RF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
300毫安
+0.3 VDC
10 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
输入频率范围（ FIN）
输出频率范围（ FOUT ）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
基本抑制
RF输入功率（ RF引脚）
输出功率为5.0 dBm的引脚（噘）
漏极偏置电压（VD ）
电源电流（ Id1,2,3 ） （VD = 5.0V典型）
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dBc的
DBM
DBM
VDC
mA
分钟。
13.5
27.0
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-8.0
-10.0
-35.0
7.0
+20.0
+5.0
200
马克斯。
17.0
34.0
-
-
-
-
-
+5.5
240
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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