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    MMBZ20VALYFH

     MMBZ20VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
    电子瞬态抑制二极管
    0 ROHM

    GRM033R11C221KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM31M5C1E563JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0224C1HR40BA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM0335C1H120GB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0335C2A5R8BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    SGM2033

     250mA, Ultra-Low Noise and High PSRR LDO Regulators for RF and Analog Circuits
    暂无信息
    1 SGMICRO

    BU18RM84-C

     用于汽车摄像头模块的SerDes IC
    暂无信息
    0 ROHM

    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    NCV7381CDP0R2G

     FlexRay® Transceiver, Clamp 30
    电信光电二极管电信集成电路
    0 ONSEMI

    GQM1875C2E4R1CB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM32NR72A563JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    SGM8709

     Micro-Power, CMOS Input, RRIO, 1.4V, Open-Drain Output Comparator
    暂无信息
    0 SGMICRO

    GRM319B11H681MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCG1550C1H2R9BA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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