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TOAT-R512 参数 Datasheet PDF下载

TOAT-R512图片预览
型号: TOAT-R512
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内容描述: 50ヘTTL控制, PIN二极管10至1000 MHz [50ヘ TTL Control, Pin Diode 10 to 1000 MHz]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 113 K
品牌: MINI [ MINI-CIRCUITS ]
 浏览型号TOAT-R512的Datasheet PDF文件第2页  
精确
数字步进衰减器
50Ω
TTL控制, PIN二极管
最大额定值
工作温度
储存温度
输入功率
直流电压
TTL
-55 ° C至100℃
-55 ° C至125°C
15 dBm的
5.5 V
5.5V
TOAT-R512+
TOAT-R512
10〜1000兆赫
特点
•宽带, 10至1000 MHz
•优秀的步进精度,0.2 dB典型值。
•卓越的VSWR 1.3 (典型值) 。
•低直流电流, 6毫安典型。
•密封,金属, TO- 8的情况下
类型: QQ96
价格: 64.45美元EA 。数量( 1-9)
应用
引脚连接
在RF
RF OUT
TTL控制# 1
TTL控制# 2
TTL控制# 3
+ 5V DC
外壳接地
4
11
2
3
1
12
5,6,7,8,9,10
f
L
TOAT-R512(+)
10
f
U
1000
#1
0.5±0.18
+符合RoHS标准按照
欧盟指令(2002 /95 / EC )
在+ SUF科幻X identi音响ES符合RoHS指令。请参阅我们的网站
对于符合RoHS指令的方法和对外贸易资质科幻阳离子。
•基站
•蜂窝
•测试集
•军,高可靠性的应用
模型
频率
(兆赫)
PRIMARY衰减步
( dB)的
@TTL控制端口
数字步进衰减器的电气连接特定的阳离子
衰减
( dB)的
VSWR
(:1)
(1,1,1)**
#2
1±0.25
#3
2±0.25
(0,0,0)
喃。
3.5
马克斯。
4.0
L
1.6
M
1.4
U
1.5
外形绘图
L = 10〜100兆赫
M = 100至500兆赫
U = 500至1000 MHz
**总衰减上述通损耗。
第1步精度为特定网络版的基本步骤。有关步骤的组合精度添加剂。
2.直通损耗是绕过所有元素的衰减最小插入损耗(所有TTL控制状态都低)
3.对于TOAT模型的最佳操作,保证了设备的情况下被正确地连接到接地平面( PC板)
其他特定网络阳离子
直流电压
直流电流
切换时间( 50 % TTL内特定网络版
下一个选择的衰减步骤的精确度,
以及内稳态0.1分贝直通损耗)
TTL输入高门槛
+5V
12毫安MAX 。
为10μs (典型值) ,为15μs最大,
2V分钟
0.8V最大。
50 kHz的典型值。
为0 dBm ( 10-100兆赫)
+10 dBm的( 100-1000MHz )
外形尺寸(
A
.600
15.24
G
.400
10.16
B
.250
6.35
H
.200
5.08
C
.25
6.35
J
.200
5.08
D
.016
0.41
K
.100
2.54
mm
)
F
.04
1.02
TTL输入低阈值
TTL转换率
1dB压缩
E
.020
0.51
wt
4.00
电气原理图
微型电路
ISO 9001 ISO 14001
认证
RF / IF微波元件
®
EW
全部输入N
minicircuits.com
REV 。一
M109143
TOAT-R512
DJ / VV / CP
070326
第1页2
P.O.盒350166 ,布鲁克林,纽约11235-0003 ( 718 ) 934-4500传真:( 718 ) 332-4661详细性能规格在线&购物看到迷你电路网站
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