ACE9030
电气特性
这些特点在申请的情况下，这些范围（除非另有说明） ：
T
AMB
= – 40
°C
至+ 85
°C,
V
DD
= + 3 · 6 + 5 · 0 V ， GND参考。 = V
SS
直流特性
参数
电源
电源电流，射频接口：
睡眠模式
完全运行（不包括我
DDX
)
电源电流，合成器： V
DD
=5V
主辅开
主要ON和辅助待机
主要在待机及辅助开
主辅处于待机状态，与带隙关闭
电源电流，合成器：
主辅开
主要ON和辅助待机
主要在待机及辅助开
主辅待机
输入和输出信号
逻辑输入高电平（ LATCHC ， LATCHB ，数据，
CL和测试）
逻辑输入低电平（ LATCHC ， LATCHB ，数据，
CL和测试）
输入电容（信号引脚）
输入漏电流（信号引脚）
逻辑输出高电平（ RXCD ， DATA ， AFCOUT ，
TEST和DOUT2 ， 3和4）
逻辑输出低电平（ RXCD ， DATA ， AFCOUT ，
TEST和DOUT2 ， 3和4）
输出ON水平， DOUT0和DOUT1
输出高电平， DOUT5 ，图6和7
输出低电平， DOUT5 ， 6和7
修剪输出电平ON ， DOUT8
水平差， DOUT8 ON - ADC参考
输出电平关， DOUT8
MODMP ， MODMN输出高电平
MODMP ， MODMN输出低电平
输入施密特迟滞，销CL ， LATCHB ，
LATCHC ， DATA 。
我对模拟电路的偏置电阻
REF
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
2.3
2·7
7
5
3.7
3
100
mA
mA
mA
mA
mA
µA
mA
mA
mA
µA
XO ， OSC8上
（见注1 ）
f
REF
= 10 MHz的
f
主
= 10 MHz的
f
AUX
= 10 MHz的
（见注2 ）
f
REF
= 15 MHz的
f
主
= 16 MHz的
f
AUX
= 90 MHz的
（见注2 ）
3
2
2
100
0 · 7× V
DD
– 0·3
V
DD
+ 0·3
+ 0·8
10
1
V
V
pF
µA
V
V
V
V
V
V
mV
V
V
V
V
kΩ
kΩ
引脚电压
V
SS
到V
DD
外部负载：
20 kΩ的& 30 pF的
I
OH
= 20 mA的电流。
I
OH
= 80
µA
I
OL
= 0.2
µA
I
OH
= 135 〜400
µA.
V
DD
– 0·5
0·4
V
DDX
– 0·2
2·3
3·35
–5
V
DD
/2 + 0·35
V
DD
/2 – 1·0
0·3
68
100
2·9
0·3
3·55
+ 15
0.4
V
DD
/2 + 1·0
V
DD
/2 – 0·35
I
OH
= 10
µA
I
OL
= – 10
µA
V
DD
@ 3·75 V
V
DD
@ 4·85 V
笔记
1.睡眠当前指定的晶体振荡器（XO ）和OSC8振荡器和作为这些通常需要提供PLL的运行
该时钟提供给系统控制器。
2.术语˚F
REF
, f
主
和f
AUX
参考的参考输入频率（晶体振荡器引脚CIN1和CIN2 ） ，主要合成
输入端（引脚FIM和FIMB ），并分别合成器辅助输入端（引脚FIA和FIAB ） 。
5
MITEL [ MITEL NETWORKS CORPORATION ]
