三菱IGBT模块
CM100DY-24H
高功率开关使用
绝缘型
绝对最大额定值，T
j
= 25
°
C除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（G -E SHORT ）
栅极 - 发射极电压（C -E SHORT ）
集电极电流（T
C
= 25°C)
峰值集电极电流
发射极电流** （T
C
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散（T
C
= 25 ° C，T
j
≤
150°C)
安装扭矩， M5主要终端
安装扭矩， M6安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
–
–
–
V
ISO
CM100DY-24H
-40至150
-40至125
1200
±20
100
200*
100
200*
780
1.47 ~ 1.96
1.96 ~ 2.94
270
2500
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
瓦
N·m的
N·m的
克
VRMS
静态电气特性，T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 150°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
分钟。
–
–
4.5
–
–
–
–
典型值。
–
–
6.0
2.5
2.25
500
–
马克斯。
1.0
0.5
7.5
3.4**
–
–
3.5
单位
mA
µA
伏
伏
伏
nC
伏
**脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温升高是可以忽略的。
动态电气特性，T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
I
E
= 100A ，二
E
/ DT = -200A / μs的
I
E
= 100A ，二
E
/ DT = -200A / μs的
V
CC
= 600V ，我
C
= 100A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V ，R
G
= 3.1Ω
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V
测试条件
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
0.74
马克斯。
20
7
4
250
350
300
350
250
–
单位
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
ns
µC
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
热和机械特性，T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
接触热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
每个IGBT
每FWDI
每个模块，散热膏的应用
分钟。
–
–
–
典型值。
–
–
–
马克斯。
0.16
0.35
0.065
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Sep.1998
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
