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CM200DU-24H 参数 Datasheet PDF下载

CM200DU-24H图片预览
型号: CM200DU-24H
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内容描述: IGBT模块大功率开关使用绝缘型 [IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源超快速恢复二极管
文件页数/大小: 4 页 / 80 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱IGBT模块
CM200DU-24H
高功率开关使用
绝缘型
半桥
切换时间特性
(典型值)
10
3
7
5
t
f
t
D(关闭)
t
D(上)
t
r
T
j
= 125°C
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6Ω
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
5
3
2
5
3
3
2
10
2
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
I
rr
t
rr
2
10
1
7
5
3
2
10
1 1
10
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
0
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
单脉冲
5
3
T
C
= 25°C
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
发射极电流I
E
(A)
瞬态热
阻抗特性
( FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
单脉冲
5
3
T
C
= 25°C
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
10
0
每单元基准= R
日(J - C )
= 0.11K / W
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
10
0
每单元基准= R
日(J - C )
= 0.18K / W
3
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
10
–2
10
–2
10
–2
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
栅极电荷特性
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 200A
15
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
10
5
0
0
200
400
600
800
1000
栅极电荷q
G
( NC )
2009年2月
4
反向恢复电流我
rr
(A)
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
10
3
10
2
- 的di / dt = 400A / μs的
7
7
T
j
= 25°C
开关时间(纳秒)