三菱半导体
\u003c晶闸管\u003e
CR02AM
低功耗的
平面型钝化
CR02AM
外形绘图
φ5.0
最大
4.4
尺寸
单位：mm
2
电压
类
TYPE
名字
3
1
T
1
终奌站
2
T
2
终奌站
3
栅极端子
外接
CIRCLE
φ0.7
1.25 1.25
1.3
12.5 MIN
1
5.0最大
0.47
0.3
10
0.4
0.1
0.01
6
6
0.1
0.23
1 3 2
• I
T（ AV ）
........................................................................ 0.3A
• V
DRM
.................................................... 200V/300V/400V
• I
GT
......................................................................... 100µA
JEDEC ： TO- 92
应用
固态继电器，漏电保护器，火灾报警器，定时器， ringcounter ，电热毯，频闪闪光器，
其它通用控制应用
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
R（ DC）的
V
DRM
V
D（ DC）的
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
采用直流反接电压
重复峰值断态电压
DC断态电压
V1
V1
电压等级
4
200
300
160
200
160
6
300
400
240
300
240
8
400
500
320
400
320
符号
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电压
栅极峰值反向电压
栅极峰值正向电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率，正弦半波， 180度通电，T
a
=30°C
60Hz的正弦半波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
–40 ~ +125
–40 ~ +125
V1.
随着门 - 阴极电阻R
GK
=1kΩ
Feb.1999
3.9 MAX
单位
V
V
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
s
W
W
V
V
A
°C
°C
g
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
