三菱集成电路（ MONITOR ）
M52734SP
带OSD消隐三通道视频放大
TR脉冲特性1
TF脉冲characteristics2
1.测定条件如在补充表给出。
2.测量所需的输入脉冲的时间，以从10％上升到
90％ Tr1和从90％下降到10％ （ Tf1的）用活性证明。
3.测量所需的输出脉冲的时间，从10％上升
至90％ （ Tr2的），并从90％下降到10％ （ Tf2的）用活性
证明。
4.脉冲特性Tr和铁蛋白是由下式计算
如下：
Tr的（纳秒）=（ Tr2的）
2
-(Tr1)
2
TF （纳秒） = （ Tf2的）
2
-(Tf1)
2
100%
90%
Oaj1 OSD调节控制特性（最大值）
∆Oaj1
OSD控制相对调整
特性（最大值）
1.测定条件如在补充表给出。
2.测量T.P25 （ 30或35 ）的幅度。所测量的值
被称为V
ORA
(V
OGA
或V
OBA
） ，并且将被视为Oaj1 。
3. OSD调节控制特性相
∆Oaj1
是
计算由下面的方程：
Oaj2 OSD调节控制特性（最低）
∆Oaj2
OSD控制相对调整
特性（最小）
1.测定条件如在补充表给出
所不同的是V36被设定为0V。
2.测量T.P25 （ 30或35 ）的幅度。所测量的值
被称为V
ORB
(V
英国乐施会
或V
OBB
） ，并且将被视为Oaj2 。
3. OSD调节控制特性相
∆Oaj2
是
计算由下面的方程：
OSDth OSD输入阈值电压
1.测定条件如在补充表给出。
2.降低SG7输入电平逐渐，监控输出。
测量SG7水平时，输出达到0V 。该
测量值被称为OSDth 。
V1th BLK输入阈值电压
1.测定条件如在补充表给出。
2.确保信号不被输出与同步
SG7 （消隐期） 。
3.降低SG7输入电平逐渐，监控输出。
测量SG7水平时消隐期间消失。
所测量的值被称为V1th 。
10%
0%
Tr
Tf
V14th钳位脉冲阈值电压
1.测定条件如在补充表给出。
2.调低SG5输入电平逐渐，监控输出
（约2.0伏） 。测量SG5输入电平，当输出
达到0V 。
W14钳位脉冲最小宽度
在相同条件下如在注19给出，减少SG5
脉冲宽度逐渐，监控输出。测量SG5
脉冲宽度，当输出电压达到0V 。
P
大昌行
底座电压temperatere特性1
P
DCL
底座电压temperatere characteristics2
1.测定条件如在补充表给出。
2.测量在室温下基座电压。
所测量的值被称为P
DC1
.
3.测量在温度为-20℃的基座电压和
85°C 。所测量的值被称为分别，磷
DC2
和
P
DC
3.
4. P
大昌行
=P
DC1
- P
DC2
P
DCL
=P
DC1
- P
DC3
OTR OSD脉冲特性1
光学传递函数OSD脉冲characteristics2
1.测定条件如在补充表给出。
2.测量所需的输出脉冲的上升时间
10 ％至90％ （ OTR）和从90％下降到10％ （光学传递函数），具有
活跃的证明。
7
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
