三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54563P/FP
带钳位二极管8 -UNIT 500毫安源类型达林顿晶体管阵列
描述
M54563FP是一个8电路输出的采购达林顿
晶体管阵列。该电路是由PNP和NPN转录的
电阻取值。这种半导体集成电路进行高
电流驱动具有极低的输入电流供应。
引脚配置
输入
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
IN8 → 8
V
S
9
18
→O1
17
→O2
16
→O3
15
→O4
14
→O5
13
→O6
12
→O7
11
→O8
10 GND
�½
产量
特点
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
高电流驱动（木卫一（最大值） = -500mA ）
钳位二极管
驾驶可提供6个PMOS IC输出〜 16V或TTL输出
工作温度范围宽（大= -20〜 + 75 ° C）
输出电流源型
封装类型18P4G （ P）
NC
1
20
NC
应用
继电器，打印机， LED灯，荧光显示管驱动器
和灯具，以及MOS双极逻辑系之间的接口
TEMS和继电器，螺线管，或小型电机
功能
该M54563P和M54563FP各有8电路，
这些都使得输入逆变器和电流源输出的
放。则输出为PNP晶体管和NPN的
达林顿晶体管。 PNP晶体管基极电流
常数。钳位二极管的每个输出之间
和GND 。 V
S
和GND作为通常使用的8间
电路。
该输入具有的3kΩ的电阻，以及高达10V的电压
是适用的。输出电流为500 mA（最大值） 。供应
电压V
S
为50V最大。
该M54563FP被封闭在模制的小扁平封装，
实现节省空间的设计。
输入
IN1 → 2
IN2 → 3
IN3 → 4
IN4 → 5
IN5 → 6
IN6 → 7
IN7 → 8
IN8 → 9
V
S
10
19
→O1
18
→O2
17
→O3
16
→O4
15
→O5
14
→O6
13
→O7
12
→O8
11 GND
�½
产量
封装形式20P2N -A （ FP ）
NC ：无连接
电路图
V
S
20K
3K
输入
7.2K
1.5K
3K
产量
GND
这八个电路共用V
S
和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
Ω
1999年8月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
