三菱的LSI
三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
描述
这是由16位动态RAM与EDO一个家庭的262144字
模式机能的研究，制造的高性能CMOS
过程中，是理想的个人缓冲存储器系统
计算机图形和HDD ，其中高速，低功率
耗散和低的成本是必要的。采用双层的
金属化的工艺技术和单晶体管动态
存储堆叠的电容器单元提供电路密度高的
降低了成本。在较低的电源电压（3.3V ）操作时，由于
晶体管结构的最优化，具有低功耗
同时保持高速操作。复用地址输入
允许既减少在销，并增加了系统
密度。自己或延长刷新电流足够低的
电池备份应用程序。该器件具有2CAS和1W
端子512个循环每8.2ms刷新周期。
引脚配置（顶视图）
(3.3V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ4
(3.3V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
S
S(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
DQ
8 10
特点
型号名称
M5M4V4265CXX-5,-5S
M5M4V4265CXX-6,-6S
M5M4V4265CXX-7,-7S
RAS
CAS
地址
ACCESS
访问访问
时间
时间
时间
（ max.ns ） （ max.ns ） （ max.ns ）
动力
OE
周期
耗散
ACCESS
时间
化
时间
（ max.ns ） （ min.ns ） （ typ.mW ）
NC
11
NC
12
W
13
RAS
14
NC
15
A
0 16
A
1 17
A
2 18
A
3 19
(3.3V)V
CC 20
50
60
70
13
15
20
25
30
35
13
15
20
90
110
130
408
363
333
XX = TP ，J
标准的40引脚SOJ ， 44引脚TSOP （ II ）
单3.3 ± 0.3V电源
低待机功耗
CMOS输入电平
1.8MW （最大）
CMOS输入电平
360μW （最大） *
工作功耗
M5M4V4265CXX-5,-5S
486mW （最大）
M5M4V4265CXX-6,-6S
432mW （最大）
M5M4V4265CXX-7,-7S
396mW （最大）
自刷新功能*
自刷新电流
100μA （最大值）
扩展刷新功能
扩展刷新电流
100μA （最大值）
EDO模式（ 512列随机访问） ，读 - 修改 - 写， RAS-
只有刷新，刷新RAS CAS之前，隐藏刷新功能。
早期读写模式， OE和W来控制输出缓冲器阻抗
512刷新周期每8.2ms （A
0
~A
8
)
512刷新周期每128ms的（A
0
~A
8
) *
字节或字控制读/写操作（ 2CAS ， 1W型）
*：适用于自刷新版本（ M5M4V4265CJ ， TP- 5S ， -6S ，
-7S ：选项）只
大纲40P0K （ 400mil SOJ ）
(3.3V)V
CC
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ4
(3.3V)V
CC
DQ
5
DQ
6
DQ
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
V
S
S(0V)
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
(0V)
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8 10
应用
微型计算机的内存，内存刷新为CRT ，帧缓冲
内存CRT
NC
13
NC
14
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LCAS
UCAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
(0V)
引脚说明
引脚名称
A
0
~A
8
DQ
1
-DQ
16
RAS
LCAS
UCAS
W
OE
V
CC
V
SS
1
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通输入
低字节控制
列地址选通输入
高字节控制
列地址选通输入
写控制输入
输出使能输入
电源（ + 3.3V ）
地（ 0V ）
W
15
RAS
16
NC
17
A
0 18
A
1 19
A
2 20
A
3 21
(3.3V)V
CC 22
概述44P3W -R （ 400mil TSOP例正常弯曲）
NC ：无连接
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
