版本。 1.1
三菱的LSI
M5M51008DFP ，副总裁， RV ， KV ， KR -55H ， -70H
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M51008DP ， FP ，副总裁， RV ， KV是1048576位CMOS静态
RAM组织为131072字×8位，使用制造
高性能的四重多晶硅，双金属CMOS
技术。使用薄膜晶体管（TFT）的负载单元和
CMOS外围结果中的高密度和低功率的静态
内存。
它们是低待机电流和低工作电流和理想
对于电池备份应用程序。
该M5M51008DVP ， RV ， KV封装在一个32引脚薄型小
外形封装这是一种高可靠性，高密度表面
安装器件（SMD ） 。有两种类型的设备。
M5M51008DVP （普通导线弯曲式封装） ，
M5M51008DRV （反向弯曲引线式封装） .Using两种类型
设备，它变得非常容易地设计一个印刷电路板。
引脚配置（顶视图）
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
地址
输入
特点
型号名称
M5M51008DFP,VP,RV,KV-55H
M5M51008DFP,VP,RV,KV-70H
ACCESS
时间
（最大）
电源电流
活跃
(1MHz)
（最大）
待用
（最大）
数据
输入/
输出
A
2 10
A
1 11
A
0 12
DQ
1 13
DQ
2 14
DQ
3 15
GND
16
V
CC
地址
A
15
输入
芯片选择
S
2
输入
W
写控制
输入
A
13
A
8
地址
输入
A
9
A
11
OE
OUTPUT ENABLE
输入
A
10
地址
输入
S
1
芯片选择
输入
DQ
8
DQ
7
DQ
6
数据
输入/
DQ
5
输出
DQ
4
概要32P2M -A （ FP ）
A
11
A
9
A
8
A
13
W
S
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
55ns
70ns
15mA
(1MHz)
20µA
(Vcc=5.5V)
直接TTL兼容：所有输入和输出
易内存扩展，并用S断电
1
,S
2
在+ 2V电源数据保持
三态输出： OR - 领带能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
包
M5M51008DFP
············
32引脚525mil SOP
2
M5M51008DVP,RV
············
32引脚8 ×20mm的TSOP
2
M5M51008DKV
············
32引脚8× 13.4毫米TSOP
OE
A
10
S
1
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
GND
DQ
3
DQ
2
DQ
1
A
0
A
1
A
2
A
3
M5M51008DVP,KV
25
24
23
22
21
20
19
18
17
应用
小容量的存储单元
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
S
2
W
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
概述32P3H -E （ VP） ， 32P3K -B （ KV ）
17
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19
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21
22
23
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
GND
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
S
1
A
10
OE
M5M51008DRV
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28
29
30
31
32
概述32P3H -F （ RV ）
NC ：无连接
三菱
电
1
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
