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M5M5256DFP-55LL 参数 Datasheet PDF下载

M5M5256DFP-55LL图片预览
型号: M5M5256DFP-55LL
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内容描述: 262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM [262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 66 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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'97.4.7
三菱的LSI
M5M5256DP , FP ,副总裁, RV -45LL , -55LL , -70LL ,
-45XL,-55XL,-70XL
262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM
描述
该M5M5256DP , FP ,副总裁, RV是262,144位CMOS静态RAM
由8位,它们是用制作组织为32,768字
高性能3多晶硅CMOS技术。利用
电阻负载​​NMOS的细胞和CMOS周产生了高
密度和低功耗静态RAM 。待机电流小
足够的电池备份应用程序。它是理想的内存
这需要简单的界面系统。
尤其是M5M5256DVP , RV被封装在一个28引脚薄型
是设备的小外形package.Two类型可用,
M5M5256DVP (普通导线弯曲式封装) ,
M5M5256DRV (反向弯曲引线型封装) 。使用这两种类型的
设备,它变得非常容易地设计一个印刷电路板。
引脚配置(顶视图)
A14
A12
1
2
A7
3
A6
4
A5
5
A4
6
7
A3
A2
8
A1
9
A0
10
DQ1 11
DQ2 12
DQ3 13
GND 14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/W
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/S
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
M5M5256DP,FP
特征
TYPE
接入电源电流
时间
主动待机
(最大)
(最大)
(最大)
45ns
55ns
70ns
45ns
55ns
70ns
55mA
(Vcc=5.5V)
大纲28P4 ( DP )
28P2W -C ( DFP)
M5M5256DP , FP ,副总裁, RV- 45LL
M5M5256DP , FP ,副总裁, RV- 55LL
M5M5256DP , FP ,副总裁, RV- 70LL
M5M5256DP , FP ,副总裁, RV- 45XL
M5M5256DP , FP ,副总裁, RV- 55XL
M5M5256DP , FP ,副总裁, RV- 70XL
20µA
(Vcc=5.5V)
5µA
(Vcc=5.5V)
0.05µA
(Vcc=3.0V,
典型)
•单+ 5V电源
•无时钟,无刷新
•在+ 2.0V电源数据保持
•直接TTL兼容:所有输入和输出
•三态输出:或领带的能力
• / OE防止数据争用的I / O总线
•通用数据的I / O
•电池备份功能
•低待机电流·········· 0.05μA (典型值)。
22 / OE
23 A11
24 A9
25 A8
26 A13
27 /W
28Vcc
1 A14
2 A12
3 A7
4 A6
5 A5
6 A4
7 A3
M5M5256DVP
A10 21
/S 20
DQ8 19
DQ7 18
DQ6 17
DQ5 16
DQ415
GND 14
DQ3 13
DQ2 12
DQ1 11
A0 10
A1 9
A2 8
概要28P2C -A ( DVP )
7 A3
6 A4
5 A5
4 A6
3 A7
2 A12
1 A14
28 VCC
27 /W
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 / OE
A2 8
A1 9
A0 10
DQ1 11
DQ2 12
DQ3 13
GND 14
DQ4 15
DQ5 16
DQ6 17
DQ7 18
DQ8 19
/S 20
A10 21
M5M256DP
: 28引脚600密耳DIP
M5M5256DFP
: 28引脚450密耳SOP
M5M5256DVP , RV : 28PIN 8× 13.4毫米
2
M5M5256DRV
TSOP
应用
小容量的存储单元
概述28P2C -B ( DRV )
三菱
1