'97.4.7
三菱的LSI
M5M5256DP ， FP ，副总裁， RV -45LL ， -55LL ， -70LL ，
-45XL,-55XL,-70XL
262144 - BIT （ 32768 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测定条件
例（Ta = 0〜70 ℃， Vcc的= 5V ± 10％ ，除非另有说明）
VCC
1.8kΩ
DQ
990Ω
（包括
范围， JIG ）
输入脉冲电平· ·················· V
IH
=2.4V,V
IL
=0.6V
输入上升和下降时间为5ns ··········
参考电平· ··················· V
OH
=V
OL
=1.5V
输出负载························· 1所示， CL = 30pF的（ -45LL ， -45XL ）
CL = 50pF的（ -55LL ， -55XL ）
CL = 100pF的（ -70LL ， -70XL ）
CL = 5pF的（十， TDIS ）
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （十， TDIS ）
C
L
图1输出负载
（ 2 ）读周期
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
/ S高后输出禁止时间
输出禁止时间后/ OE高
输出使能时间/ s低后
输出使能时间之后/ OE低
地址后，数据的有效时间
-45LL ， XL
最小最大
45
45
45
25
15
15
5
5
10
范围
-55LL ， XL
最小最大
55
55
55
30
20
20
5
5
10
-70LL ， XL
最小最大
70
70
70
35
25
25
5
5
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
-45LL ， XL
符号
参数
最小最大
t
CW
45
写周期时间
t
w
(W)
把脉冲宽度
35
t
su
(A)
地址建立时间
0
t
su
（ A- WH ）
地址建立时间相对于/ W高40
t
su
(S)
片选建立时间
40
t
su
(D)
数据建立时间
20
t
h
(D)
数据保持时间
0
t
REC
(W)
写恢复时间
0
t
DIS
(W)
从/ W的低输出禁止时间
15
t
DIS
（ OE）的
输出禁止时间从/ OE高
15
t
en
(W)
从/ W的高输出使能时间
5
t
en
（ OE）的
输出使能由/ OE低电平时间
5
范围
-55LL ， XL
最小最大
55
40
0
50
50
25
0
0
20
20
5
5
-70LL ， XL
最小最大
70
50
0
65
65
30
0
0
25
25
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱
电
4
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
