欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M5M5V108DVP-70H 参数 Datasheet PDF下载

M5M5V108DVP-70H图片预览
型号: M5M5V108DVP-70H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1048576 - BIT ( 131072 -字×8位)的CMOS静态RAM [1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 62 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M5M5V108DVP-70H的Datasheet PDF文件第8页  
7th.July.2000版本。 1.0
三菱的LSI
M5M5V108DFP ,副总裁, KV -70H
1048576 - BIT ( 131072 -字×8位)的CMOS静态RAM
描述
该M5M5V108DFP ,副总裁, KV是1048576位CMOS静态RAM
由8位,使用的是高制造组织为131072字
表现三多晶硅,双金属CMOS工艺。
使用薄膜晶体管(TFT)的称重传感器和CMOS周
导致高密度和低功率的静态RAM 。
它们是低待机电流和低工作电流和理想
对于电池备份应用程序。
该M5M5V108DVP , KV封装在一个32引脚薄型小
外形封装这是一种高可靠性,高密度表面
安装器件(SMD ) 。
引脚配置(顶视图)
地址
输入
特点
ACCESS
时间
(最大)
电源电流
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
型号名称
M5M5V108DFP,VP,KV-70H
V
CC
主动待机
(1MHz)
(最大)
(最大)
70ns
2.7~3.6V
5mA
12µA
数据
输入/
输出
A
2 10
A
1 11
A
0 12
DQ
1 13
DQ
2 14
DQ
3 15
GND
16
V
CC
地址
A
15
输入
S
2
芯片选择
输入
W
写控制
输入
A
13
A
8
地址
输入
A
9
A
11
OUTPUT ENABLE
OE
输入
A
10
地址
输入
S
1
芯片选择
输入
DQ
8
DQ
7
DQ
6
数据
输入/
DQ
5
输出
DQ
4
直接TTL兼容:所有输入和输出
易内存扩展,并用S断电
1
,S
2
在+ 2V电源数据保持
三态输出: OR - 领带能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
M5M5V108DFP
············
32引脚525mil SOP
2
M5M5V108DVP,RV
············
32引脚8 ×20mm的TSOP
2
M5M5V108DKV,KR
············
32引脚8× 13.4毫米TSOP
A
11
A
9
A
8
A
13
W
S
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
概要32P2M -A
OE
A
10
S
1
DQ
8
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
GND
DQ
3
DQ
2
DQ
1
A
0
A
1
A
2
A
3
应用
小容量的存储单元
M5M5V108DVP,KV
25
24
23
22
21
20
19
18
17
概述32P3H -E ( VP) , 32P3K -B ( KV )
NC :无连接
三菱
1