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M66258FP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M66258FP
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内容描述: 8192 ×8位直插内存 [8192 x 8-BIT LINE MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 116 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱<DIGITAL ASSP>
M66258FP
8192 ×8位直插内存
绝对最大额定值
(大= 0 〜 70
°C
除非另有说明)
符号
VCC
V
I
V
O
Pd
TSTG
参数
电源电压
输入电压
输出电压
权力分散
储存温度
条件
评级
-0.5
+6.0
-0.5
V
CC
+0.5
-0.5
V
CC
+0.5
825
-65
150
单位
V
V
V
mW
°C
基于GND引脚值
Ta=25
°C
推荐工作条件
符号
VCC
GND
TOPR
参数
电源电压
电源电压
工作温度
分钟。
4.5
范围
典型值。
5.0
0
0
70
马克斯。
5.5
单位
V
V
°C
电气特性
(大= 0 〜 70
°C,
的Vcc = 5V ± 10% ,GND = 0V ,除非另有说明)
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
高层次的输入电流
条件
分钟。
2.0
V
CC
-0.8
0.55
WE , WRES , WCK ,
RE , RRES , RCK ,
D0
D7
WE , WRES , WCK ,
RE , RRES , RCK ,
D0
D7
1.0
范围
典型值。
马克斯。
0.8
I
OH
= -4mA
I
OL
= 4毫安
V
I
= V
CC
单位
V
V
V
V
µ
A
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
CC
C
I
C
O
低电平输入电流
断态高电平输出电流
断态低电平输出电流
工作期间平均电源电流
输入电容
关断时间输出电容
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= GND
-1.0
5.0
-5.0
150
10
15
µ
A
µ
A
µ
A
mA
pF
pF
V
I
= V
CC
, GND ,输出开路
t
WCK
, t
RCK
= 20ns的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
3