三菱的LSI
M6MGB/T166S4BWG
16777216位（ 1,048,576 -word 16位） CMOS
3.3V -ONLY闪存&
4,194,304位（ 262,144字×16位） CMOS SRAM
堆叠CSP （芯片级封装）
描述
三菱M6MGB / T166S4BWG是一个堆叠芯片
级封装（ S- CSP）的内容， 16M位闪存
在一个72针的S- CSP内存和4M位的静态RAM 。
16M位闪存是一种1,048,576的话， 3.3V -只，
和高性能非易失性存储器制造由
CMOS技术的外围电路和
DINOR （分位线NOR ）架构的内存
细胞。
4M位SRAM是一种262,144words unsynchronous SRAM
由硅栅CMOS技术制造。
M6MGB / T166S4BWG适合的应用
移动通信系统，以减少两个安装
空间和重量。
特点
•访问时间
FL灰内存
为90ns （最大）
SRAM
85ns （最大）
•电源电压
VCC = 2.7 〜 3.6V
=环境温度
W版本
TA = -20〜 85°C
•封装： 72引脚S- CSP ，球间距为0.8mm
应用
移动通讯产品
引脚配置（顶视图）
指数
H
NC
NC
DU
A5
A4
A0
F-A18
S- LB ＃
F- WP ＃
GND
F- WE＃
F-
RY / BY ＃
G
F
E
D
C
B
A
NC
1
NC
2
A16
A8
A10
A9
DQ15
DU
3
A11
4
A15
5
A14
6
A13
7
A12
8
F- GND
F-A17
S- UB ＃
DU
F-A19
F- RP ＃
F- VCC
S- VCC
F- GND
GND
A0-A16
A7
A6
A3
A2
A1
S-
CE1#
S- OE ＃
DU
DU
DQ12
S-
CE2
S- VCC
DU
S-A17
DU
DQ11
11.0 mm
F- CE ＃
杜DQ9
DQ8
DQ10
DQ13
： VCC时闪光
： VCC时SRAM
： GND为Flash
：闪存/ SRAM共同GND
：闪存/ SRAM
通用地址
F- A17 -F - A19 ：地址为Flash
：地址为SRAM
S-A17
DQ0-DQ15
：闪存/ SRAM
通用数据的I / O
F- CE ＃
S-CE1#
S-CE2
F- OE ＃
S- OE ＃
F- WE＃
S- WE＃
F- WP ＃
F- RP ＃
F- RY / BY ＃
S- LB ＃
S- UB ＃
：闪存芯片使能
： SRAM芯片使能
： SRAM芯片使能
：闪光输出使能
： SRAM输出使能
： Flash写使能
： SRAM写使能
：闪存写保护
：闪存复位关机
：闪存就绪/忙
： SRAM的低字节
： SRAM高字节
F- GND
DQ6
DQ4
S- WE＃
F- OE ＃
DQ0 DQ2
DQ1 DQ3
DQ14
9
DU
NC
NC
F- VCC
DQ5 DQ7
DU
10
NC
11
NC
12
8.0 mm
NC ：无连接
杜：不要使用（注：应该是开放的）
1
1999年4月， Rev.1.7
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
