三菱半导体砷化镓场效应管
MGF491xG系列
描述
该MGF491xG系列超低噪声HEMT （高电子
迁移率晶体管）被设计用于在L至Ku波段放大器。
该
密封
密封
金属陶瓷
包
保证
外形绘图
4.0±0.2
1.85±0.2
1
单位：毫米
minimumu寄生损失，并具有适合的结构
微带电路。
该MGF491 * G系列安装在超级12胶带。
0.5±0.15
特点
•低噪声系数
@f=12GHz
MGF4916G ： NFmin = 0.80分贝（ MAX）
MGF4919G ： NFmin = 0.50分贝（ MAX）
•关联度高增益
Gs=12.0dB(MIN.)
@f=12GHz
2
2
0.5±0.15
3
应用
L至Ku波段低噪声放大器。
ø1.8±0.2
质量等级
• GG
1
门
2
来源
推荐的偏置条件
• V
DS
=2V,I
D
=10mA
•参考偏置程序
3
漏
GD-16
绝对最大额定值
(T
a
=25˚C)
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
P
T
T
ch
T
英镑
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
评级
-4
-4
60
50
125
-65到+125
单位
V
V
mA
mW
˚C
˚C
电气特性
(T
a
=25˚C)
符号
V
（ BR ） GDO
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
G
S
NFmin 。
参数
栅漏击穿电压
门源漏电流
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
相关的增益
最小噪声科幻gure
I
G
=-10µA
V
GS
=-2V,V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=2V
V
DS
=2V,I
D
=500µA
V
DS
=2V,I
D
=10mA
V
DS
=2V,I
D
=10mA
f=12GHz
MGF4916G
MGF4919G
测试条件
民
-3
–
15
-0.1
–
12.0
–
–
范围
典型值
–
–
–
–
75
13.5
–
–
最大
–
50
60
-1.5
–
–
0.80
0.50
单位
V
µA
mA
V
mS
dB
dB
dB
十一月'97
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
