June/2004
三菱半导体<GaAs FET>
MGF4953A/MGF4954A
超低噪音的InGaAs HEMT （无引线陶瓷封装）
描述
该MGF4953A / MGF4954A超低噪音HEMT （高
电子迁移率晶体管）是专为使用在C K波段
放大器器。
引入较少的陶瓷封装，保证最小的寄生损失。
外形绘图
特点
低噪声系数
@ F = 12GHz的
MGF4953A ： NFmin 。 = 0.40分贝（典型值）。
MGF4954A ： NFmin 。 = 0.60分贝（典型值）。
高增益相关
@ F = 12GHz的
GS = 13.5分贝（典型值）。
Fig.1
应用
C到K波段低噪声放大器
三菱专有
为了不被复制或披露
未经三菱电机权限
质量等级
GG
推荐的偏置条件
V
DS
= 2V ，我
D
=10mA
订购信息
磁带&卷轴
3000pcs./reel
保持安全第一在你的电路设计！
三菱电机公司提出的最大
努力为半导体制造更好的产品
和更可靠的，但总是有
可能故障可能与它们发生。
麻烦半导体可能导致人身
人身伤害，火灾或财产损失。记得给
制作时充分考虑到您的安全
电路设计，配合适当的措施，如
作为替代，辅助电路（I）的位置，
（ⅱ）使用不易燃的材料或（iii）预防
对任何故障或事故。
绝对最大额定值
符号
V
GDO
V
GSO
I
D
PT
T
ch
T
英镑
参数
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
（ TA = 25 ° C）
评级
-4
-4
60
50
125
-65到+125
（ TA = 25 ° C）
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
Synbol
V
（ BR ） GDO
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
gm
Gs
NFmin 。
参数
栅漏击穿电压
门源漏电流
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
跨
相关的增益
最小噪声科幻gure
测试条件
分钟。
I
G
=-10µA
V
GS
=-2V,V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=2V
V
DS
=2V,I
D
=500µA
V
DS
=2V,I
D
=10mA
V
DS
=2V,
I
D
=10mA
f=12GHz
MGF4953A
MGF4954A
范围
典型值。
--
--
--
--
70
13.5
0.40
0.60
最大
--
50
60
-1.5
--
--
0.50
0.80
-3
--
15
-0.1
--
12.0
--
--
单位
V
µA
mA
V
mS
dB
dB
dB
三菱
(1/5)
June/2004
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
