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PM100RSD060 参数 Datasheet PDF下载

PM100RSD060图片预览
型号: PM100RSD060
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内容描述: 智能功率模块FLAT- BASE型绝缘包装 [INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 152 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM100RSD060
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
性能曲线(制动部分)
输出特性
(典型值)
T
j
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压( VS. IC )的特点
(典型值)
2.5
50
40
15V
30
V
D
= 17V
13V
2
1.5
20
1
0.5
V
D
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
10
20
30
40
50
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集热恢复电流-I
C
(A)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压( V VS.
D
)特性
(典型值)
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
12
I
C
= 30A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
13
14
15
16
17
18
二极管的正向特性
(典型值)
10
2
7
5
4
3
2
V
D
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
1
7
5
4
3
2
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
控制电源电压V
D
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分)
10
1
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
瞬态热
阻抗特性
( FWDI部分)
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0
10
0
10
–1
10
–1
10
–2
10
–3
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
时间(s)
7
5
3
单脉冲
2
每单元基准= R
日(J - C ) Q
= 0.71 ° C / W
10
–2
10
–3
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
时间(s)
7
5
3
单脉冲
2
每单元基准= R
日(J - C )F
= 1.66 ° C / W
2005年7月