三菱半导体功率模块MOS
采用智能功率模块
6.2.3电气特性（续）
符号
控制部分
V
D
I
D
V
CIN （上）
V
CIN （关闭）
f
PWM
t
DEAD
OC
SC
t
关（ OC ）
OT
OT
r
UV
UV
r
I
FO （H）的
I
FO （L）的
t
FO
V
SXR
电源电压
短路电流
输入ON电压
输入OFF电压
PWM输入频率
手臂射穿
封锁时间
过电流保护级别
短路跳闸等级
过流延迟时间
超温跳闸等级
超温
复位电平
控制电源
欠压脱扣等级
控制电源
欠压复位电平
故障输出电流不活跃
故障输出工作电流
故障输出脉冲宽度
SXR端子输出电压
允许控制电源电压的开关工作范围
在待机模式下控制电源电流
输入（I ）和地（ C）之间的电压引脚低于该值将打开IPM
输入（I ）和地（ C）之间的电压引脚高于此值将关闭IPM
PWM频率的VVVF逆变器的操作范围
所需的高侧和低侧输入端之间关闭/开启信号，以防止一个时间延迟
手臂射穿
收集器，其将激活过电流保护
集电极电流，这将激活短路保护
集电极电流经过时间延迟超过OC触发电平，直到OC保护动作
底板温度，这将激活过温保护
温度底板下面必须下降到复位温度过高的故障
低于这个值，控制电源电压将激活欠压保护
控制电源电压必须大于复位欠压故障
故障没有发生故障时，输出灌电流
故障发生故障时，输出灌电流
所产生的故障输出脉冲的持续时间
上SXR端子稳压电源电压，用于驱动外部光耦
参数
德网络nition
6.2.4推荐工作条件
符号
V
CC
V
D
V
CIN （上）
V
CIN （关闭）
f
PWM
t
DEAD
参数
主电源电压
控制电源电压
输入ON电压
输入OFF电压
PWM输入频率
手臂射穿
封锁时间
德网络nition
推荐的DC总线电压范围
建议控制电源电压范围
推荐的输入电压范围内，以打开在IPM
推荐的输入电压范围内关闭的IPM
使用推荐的应用电路的推荐范围的PWM载波频率
对信号的光电耦合器的高侧和低侧关/间推荐时间延迟
使用推荐的应用电路
6.2.5测试电路和条件
下面的测试电路被用于
来评价的IPM特性。
1. V
CE
（饱和）和V
EC
V
D
图6.8 V
CE
（饱和）测试
C1(C2)
VX1
SXR
CX1
VXC
V
I
C
图6.9 V
EC
TEST
C1(C2)
VX1
V
D
SXR
CX1
VXC
V
I
C
为了确保规定的结
温度T
j,
测量
V的
CE
（饱和）和V
EC
必须是
低占空比进行
脉冲测试。 （参见图6.8
和6.9 ）
E1(E2)
E1(E2)
Sep.1998
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
