三菱半导体<Intelligent电源Module>
PS21353-N
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -F ） Q
R
日（J -F ）F
参数
结到散热器的热
阻力
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWD部分（每1/6模块）
（注3）
（注3）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
5.0
6.5
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的热导率应均匀地施加约± 100微米〜+ 200微米上的DIP-IPM和一个接触的表面
散热器。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWD正向电压
条件
I
C
= 10A ，T
j
= 25°C
V
D
= V
DB
= 15V
V
CIN
= 0V
I
C
= 10A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 10A ，V
CIN
= 5V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
=15V
I
C
= 10A ，T
j
= 125°C
开关时间
感性负载（上，下臂）
V
CIN
= 5
↔
0V
V
CE
= V
CES
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.40
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.8
1.9
2.1
0.90
0.20
0.40
0.95
0.35
—
—
马克斯。
2.45
2.6
2.85
1.35
—
0.65
1.40
0.85
1
10
单位
V
V
µs
µs
µs
µs
µs
mA
集电极 - 发射极截止
当前
控制（保护）第
符号
参数
V
D
= V
DB
=15V
V
CIN
= 5V
条件
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
总的V
P1
-V
NC
, V
N1
-V
NC
V
D
= V
DB
=15V
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
CIN
= 0V
V
SC
= 0V ，女
O
= 10kΩ的5V拉
V
SC
= 0V时，我
FO
= 1.5毫安
V
SC
= 1V ，我
FO
= 15毫安
（注4 ）
T
j
= 25 ° C，V
D
= 15V
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
C
FO
=值为22nF
之间施加：
U
P
, V
P
, W
P
-V
NC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
（注5 ）
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.8
0.43
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
0.8
2.5
范围
典型值。
—
—
—
—
—
0.6
1.2
0.48
—
—
—
—
1.8
1.4
3.0
马克斯。
8.5
1.0
9.7
1.0
—
0.9
1.8
0.53
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.0
4.0
单位
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
V
V
I
D
短路电流
V
FOH
V
FOL
V
FOsat
V
SC （ REF）
UV
DBT
UV
DBR
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
FAULT输出电压
短路跳闸等级
电源电路欠压
保护
故障输出脉冲宽度
对阈值电压
断阈值电压
注4 ：
短路保护只在低臂动作。请选择外部分流电阻的值，使得SC触发电平
小于17A
5 :
当低臂短路，或控制电源欠压保护功能操作故障信号输出。故障输出
脉冲宽度t
FO
取决于C的电容值
FO
根据以下的近似公式。 ：C
FO
= (12.2
✕
10
-6
)
✕
t
FO
[F]
2001年9月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
