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PS21564-P 参数 Datasheet PDF下载

PS21564-P图片预览
型号: PS21564-P
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内容描述: 代DIP和Mini - DIP -IPM [Generation DIP and Mini-DIP-IPM]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 640 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号PS21564-P的Datasheet PDF文件第2页  
2.10
3
rd
代DIP和Mini - DIP -IPM
(双列直插式
封装智能功率模块)
产品特点:
采用5
th
新一代平面IGBT芯片与0.6微米设计规则
或CSTBT ™技术,卓越的性能损失
超紧凑的单或双列直插式压注模封装
(有2兼容
nd
代)
包括驱动器和保护电路(UV , SC )
DIP-IPM与由20%减少热阻的
2500V
RMS
隔离电压
可直接连接到3V或5V MCU的高活性接口逻辑
最高的可靠性和优化的EMI性能
可从3A到50A / 600V的电机额定从0.1KW到3.7kW的
选购与发射极开路拓扑矢量控制
所有三菱DIP和Mini - DIP- IPM的有无铅端子
从2006年1月起,所有的DIP和Mini - DIP- IPM的意志
与完全无铅工艺提供
阵容DIP ,微型DIP & SIP -IPM
2.
TYPE
隔离电压
(V)
V
CES
(V)
电机功率(KW )
0.1
0.2
0.4
0.75
1.5
PS21065
2.2
PS21067
3.7
PS21069
超级DIP
DIP
2500
微型DIP
PS21661-FR
PS21661-RZ
600
PS21562-P
PS21562-SP*
PS21563-P
PS21563-SP*
PS21864-P
PS21564-P
PS21564-SP*
PS21865-P
PS21867-P
PS21869-P
SIP
*打开发射器拓扑
电气特性
类型编号
热&机械
特征
V
CES
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
适用
汽车评级
( kW)的
0.2
0.4
0.75
0.75
1.5
2.2
3.7
0.2
0.4
0.75
1.5
2.2
3.7
0.1
I
C
(A)
5
10
15
15
20
30
50
5
10
15
20
30
50
3
f
C
(千赫)
PS21562-P
PS21563-P
PS21564-P
PS21864-P
PS21865-P
PS21867-P
PS21869-P
PS21562-SP
PS21563-SP
PS21564-SP
PS21065
PS21067
PS21069
PS21661-RZ/-FR
典型值。
马克斯。
微型DIP -IPM 600伏
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.30
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.40
20
2500
1.45
1.95
1.20
0.30 0.40 1.50
DIP -IPM 600伏
20
2500
1.7
2.2
1.50
0.30 0.50 1.40
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.60
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.70
20
2500
1.5
2.0
1.30
0.30 0.40 2.00
微型DIP -IPM 600伏随着打开发射器拓扑
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.30
20
2500
1.6
2.1
1.20
0.30 0.40 1.40
20
2500
1.45
1.95
1.20
0.30 0.40 1.50
超级DIP -IPM 600伏随着开放式发射器TopologySIP -IPM 600伏
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.60
20
2500
1.6
2.1
1.30
0.30 0.40 1.70
20
2500
1.5
2.0
1.30
0.30 0.40 2.00
SIP -IPM 600伏
15
2500
1.6
2.15
0.85
0.20 0.35 1.00
隔离
电压
(V)
V
CE ( SAT )
@ T
j
=25°C
(V)
典型的开关时间
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
(µs) (µs) (µs) (µs) (µs)
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.65
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.65
0.55
IGBT
R
日(J -F )
( ° C / W)
6.0
5.0
4.5
2.30
1.90
1.65
1.42
6.0
5.0
4.5
1.90
1.65
1.42
9.0
二极管
R
日(J -F )
( ° C / W)
6.5
6.5
6.5
3.2
3.0
3.0
2.0
6.5
6.5
6.5
2.85
2.55
2.30
9.0
套餐 -
D4
D4
D4
D3
D3
D3
D3
D5
D5
D5
D6*
D6*
D6*
SIP1
*包装D6画下看到2.8 。 1200V DIP -IPM , P 。 50
54
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