三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS22056
模内转印式
绝缘型
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
R
TH（ C-F ）
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
接触热阻
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWDI部分（每1/6模块）
案例鳍， （每1个模块）导热硅脂适用
范围
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
—
马克斯。
1.28
1.70
0.047
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的导热性和长期耐久性应均匀地施加约± 100微米〜+ 200μm的对于转换
tacting DIP-IPM和散热器的表面上。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 5V ，我
C
= 25A
–I
C
= 25A ，V
IN
= 0V
条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
—
—
—
0.8
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
2.7
2.5
2.5
1.5
0.3
0.6
2.8
0.6
—
—
马克斯。
3.4
3.2
3.0
2.2
—
0.9
3.8
0.9
1
10
单位
V
V
µs
µs
µs
µs
µs
mA
开关时间
V
CC
= 600V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 25A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
↔
5V
感性负载（上，下臂）
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
控制（保护）第
符号
参数
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 5V
V
D
= V
DB
= 15V
V
IN
= 0V
条件
总的V
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
总的V
P1
-V
PC
, V
N1
-V
NC
V
UFB
-V
UFS
, V
VFB
-V
VFS
, V
WFB
-V
世界粮食首脑会议
V
SC
= 0V ，女
O
电路的上拉至5V与10kΩ的
V
SC
= 1V ，我
FO
= 1毫安
（注4 ）
T
j
= 25 ° C，V
D
= 15V
V
IN
= 5V
旅行等级
复位电平
T
j
≤
125°C
旅行等级
复位电平
（注5 ）
C
FO
=值为22nF
分钟。
—
—
—
—
4.9
—
0.43
0.7
10.0
10.5
10.3
10.8
1.6
2.0
0.8
范围
典型值。
—
—
—
—
—
—
0.48
1.5
—
—
—
—
2.4
3.0
1.4
马克斯。
3.70
1.30
3.50
1.30
—
1.10
0.53
2.0
12.0
12.5
12.5
13.0
—
4.2
2.0
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
V
V
V
V
ms
V
V
I
D
短路电流
V
FOH
FAULT输出电压
V
FOL
短路跳闸等级
V
SC （ REF）
输入电流
I
IN
UV
DBT
电源电路欠压
UV
DBR
保护
UV
Dt
UV
Dr
故障输出脉冲宽度
t
FO
对阈值电压
V
TH （ON）的
ü之间施加
P
, V
P
, W
P
-V
PC
, U
N
, V
N
, W
N
-V
NC
断阈值电压
V
TH （OFF）的
注4 ：
短路保护功能只在低的武器。请选择外部分流电阻的值，使得SC跳闸
平小于1.7倍设备额定电流。
5 :
故障信号时，低臂短路或控制电源欠压保护功能动作输出。故障输出脉冲 -
宽度T
FO
取决于C的电容值
FO
根据以下的近似公式：C
FO
= 9.3
✕
10
-6
✕
t
FO
[F].
2005年5月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
