三菱晶闸管模块
TM200DZ/CZ/PZ-M,-H,-24,-2H
高功率一般使用
绝缘型
性能曲线
最大通态特性
额定浪涌（不重复）
通态电流
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
–1
10
0.5
SURGE （不重复）
通态电流（A ）
通态电流（A ）
10
2
7
5
3
2
4000
T
j
=125°C
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2 3
5 7 10
20 30
50 70100
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
最大瞬态热
阻抗（结点到外壳）
10
0
2 3 5 710
1
2 3
0.25
GATE特性
V
FGM
=10V
V
GT
=3.0V
P
G（ AV ）
=
3.0W
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
P
GM
=10W
瞬态热阻抗
（ ° C / W）
4
3
2
0.20
0.15
10
0
7
5 I
GT
=
100mA
3
2
–1
10
V
GD
=0.25V
I
FGM
=4.0A
7
5
410
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
栅极电流（毫安）
T
j
=25°C
0.10
0.05
0
10
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 7 10
0
时间（s）
最大平均通态
功耗
（单相半波）
平均水平的限制值
通态电流
（单相半波）
320
通态平均功耗
耗散（W）的
130
180°
120°
90°
60°
外壳温度（ ° C）
280
240
200
160
120
80
40
0
0
θ
360°
电阻式，
电感
负载
θ=30°
120
110
100
90
80
70
60
PER单
元素
θ
360°
电阻式，
电感
负载
PER单
元素
θ=30°
0
40
80
60°
90° 120° 180°
120
160
200
40
80
120
160
200
50
通态平均电流（A）
通态平均电流（A）
Feb.1999
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
