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  • MM54HC08J/883C图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • MM54HC08J/883C
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  • MM54HC08J/883B图
  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • MM54HC08J/883B
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MM54HC08J/883产品参数
型号:MM54HC08J/883
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.92
系列:HC/UH
JESD-30 代码:R-GDIP-T14
JESD-609代码:e0
长度:19.43 mm
负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:AND GATE
最大I(ol):0.004 A
功能数量:4
输入次数:2
端子数量:14
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP14,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup:35 ns
传播延迟(tpd):35 ns
认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO
筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:5.08 mm
子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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