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MSM8128VLM-12 参数 Datasheet PDF下载

MSM8128VLM-12图片预览
型号: MSM8128VLM-12
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内容描述: 128K ×8 SRAM [128K x 8 SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 585 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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MSM8128 - 70/85/10/12
问题4.5 : 2001年4月
低V
CC
数据保留时序波形1
( CS1控制)
VCC
4.5V
数据保持方式
4.5V
t
CDR
2.2V
t
R
2.2V
V
DR
CS1
Vcc-0.2V
0V
CS1
低V
CC
数据保留时序波形2
( CS2控制)
VCC
4.5V
数据保持方式
t
CDR
t
R
4.5V
CS2
V
DR2
0.4V
CS2
0.2V
0V
AC特性备注
( 1 )低CS1 ,高CS2和低WE的重叠期间,写操作。写在开始之间的过渡最新
CS1变低, CS2会很高,我们变低。在CS1中最早转型写结尾要高, CS2
将LOW和我们要高。吨
WP
从写入的开始写的末端测量。
(2) t
WR
从CS1的早期检测或WE变高或CS2变高到写周期的结束。
( 3 )在此期间, I / O引脚的输出状态。输入信号的相位不能被应用。
( 4 )如果CS1同时变低,我们是否低,或WE变低​​后,输出保持在高阻抗状态。
( 5 ) OE是持续较低。 ( OE = V
IL
)
(6) Dout为同相位,作为该写周期中写入的数据。
(7) Dout为下一个地址的读数据。
( 8 )如果CS1为低和CS2为高,在此期间, I / O引脚的输出状态。输入信号的相位必须不
应用到I / O引脚。
(9) t
WHZ
被定义为时间,让输出达到开路条件和没有被引用到输出电压
的水平。这些参数进行采样,而不是100 %测试。
%