MSM8521CBI-020 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MSM8521CBI-020
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内容描述：	512K ×8静态RAM发行2001年5.2月 [512K x 8 Static RAM Issue 5.2 April 2001]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 151 K
品牌：	MOSAIC [ MOSAIC ]

写周期1

（ / OE =时钟）

地址

/ OE

CW(3)

/ CS

WR(5)

AS(4)

/ WE

WP(2)

高Z

DATA IN

OHZ(6)

高Z（ 8 ）

数据输出

有效数据

注（ WRITE

循环）

1.所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。

2.低/ CS和/ WE重叠期间，写操作。写在开始的最新过渡/ CS变低和/ WE变低;

在最早转型写结束/ CS变高或/我们要高。吨

从写开始时所测到的端部

写。

3. t

从后来的测量/ CS变低写入结束。

4. t

从地址有效到写的开始测量的。

5. t

从写入地址变更的端部测量的。吨

在适用的情况下写的结尾/ CS或/我们要高。

6.如果/ OE ， / CS和/我们在阅读模式，在此期间，该I / O引脚输出低电平-Z状态。相反相位的输入

的输出不能被应用，因为总线争用可能发生。

7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。

8.如果/ CS同时变为低电平用/难道或之后/我们要低，输出保持高阻态。

9. Dout为新地址的读数据。

10.当/ CS为低I / O引脚的输出状态。在相反的相位与输入信号通往输出不应该

应用。

第7页

问题5.2 2001年4月

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