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SYS32256ZKL-15 参数 Datasheet PDF下载

SYS32256ZKL-15图片预览
型号: SYS32256ZKL-15
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内容描述: 256K ×32的SRAM模块 [256K x 32 SRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 2 页 / 62 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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256K ×32的SRAM模块
SYS32256ZK / LK - 17年12月15日
问题1.1 : 1999年1月
描述
该SYS32256是塑料8Mbit的静态RAM
模块在工业标准64引脚提供ZIP和
64铅SIMM封装,组织为256K ×32 。
该模块采用8速256K ×4的SRAM
容纳在SOJ封装,并使用双面
表面贴装技术,实现了非常高的
密度模块。
4个片选用于单独启用
的四个字节。读或写操作,在
个体或多个字节的任何组合。
两个引脚PD0 & PD1被用来识别模块
存储密度那里的替代版本
JEDEC标准的模块是可以互换的。
框图
A0-A17
OE
WE
256Kx4
SRAM
特点
对17年12月15日NS访问时间。
64引脚ZIP & SIMM引脚。
5伏电源± 10%。
功耗:
运行( 32位模式) 9.0 W(最大) 。
待机(CMOS )-L
1.3 W (最大) 。
完全静态操作。
平等的机会和循环时间。
所有输入和输出直接TTL兼容。
板载电源去耦电容。
72引脚SIMM ( SYS32256LKX )提供。
引脚德网络nition
ZIP
PD0
D0
D1
D2
D3
VCC
A7
A8
A9
D4
D5
D6
D7
WE
A14
CS1
CS3
A16
GND
D16
D17
D18
D19
A10
A11
A12
A13
D20
D21
D22
D23
GND
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
GND
PD1
D8
D9
D10
D11
A0
A1
A2
D12
D13
D14
D15
GND
A15
CS2
CS4
A17
OE
D24
D25
D26
D27
A3
A4
A5
VCC
A6
D28
D29
D30
D31
GND
PD0
PD1
D0
D8
D1
D9
D2
D10
D3
D11
VCC
A0
A7
A1
A8
A2
A9
D12
D4
D13
D5
D14
D6
D15
D7
GND
WE
A15
A14
CS2
CS1
SIMM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
D0-D3
256Kx4
SRAM
D4-D7
CS1
256Kx4
SRAM
D8-D11
256Kx4
SRAM
D12-D15
CS2
256Kx4
SRAM
D16-D19
256Kx4
SRAM
D20-D23
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
CS3
256Kx4
SRAM
D24-D27
256Kx4
SRAM
D28-D31
CS4
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
设备检测
电源(+ 5V)的
A0 ~ A17
D0 ~ D31
CS1~4
WE
OE
PD0~1
V
CC
GND
CS4
CS3
A17
A16
OE
GND
D24
D16
D25
D17
D26
D18
D27
D19
A3
A10
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
D20
D28
D21
D29
D22
D30
D23
D31
GND
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
包详细信息
塑料64引脚ZIP
塑料64引脚SIMM