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SYS82000RKXDLI-85 参数 Datasheet PDF下载

SYS82000RKXDLI-85图片预览
型号: SYS82000RKXDLI-85
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内容描述: 2M ×8 SRAM模块 [2M x 8 SRAM MODULE]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 7 页 / 95 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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SYS82000RKXD - 70/85/10/12
1.3发行2000年2月
AC测试条件
输出负载
*输入脉冲电平: 0V至3.0V
*输入上升和下降时间: 5ns的
*输入和输出时序参考电平: 1.5V
*输出负载:见下图
* V
CC
=5V±10%
I / O引脚
645
1.76V
100pF
操作真值表
CS
H
L
L
L
L
OE
X
L
H
L
H
WE
X
H
L
L
H
数据引脚
高阻抗
数据输出
DATA IN
DATA IN
高阻抗
电源电流
I
SB1
, I
SB2
, I
SB3
I
CC1
I
CC1
I
CC1
I
SB1
, I
SB2
, I
SB3
模式
待机
高-Z
注:H = V
IH
:L = V
IL
:X = V
IH
或V
IL
低V
cc
数据保持特性 - L型仅
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
测试条件
CS > V
CC
-0.2V
V
CC
= 3.0V , CS > V
CC
-0.2V
T
OP
= 0℃至40℃的
见保留波形
见保留波形
2.0
-
0
5
典型值
(1)
-
-
-
-
最大
-
220
-
-
单位
V
µA
ns
ms
I
CCDR1 (2)
芯片取消到数据保留时间
t
CDR
手术恢复时间
t
R
笔记
(1 )典型的数字是在25 ℃下测定。
(2)该参数保证不会测试。
3