2M ×8 SRAM模块
SYS82000RKXD - 85/10/12
问题1.4 ： 2001年4月
描述
该SYS82000RKXD是塑料16Mbit的静态
内存模块封装在一个标准的36针单在 -
组织为2米x 8列直插式封装这提供了一个
极高的PCB封装密度。
该模块使用4 512Kx8构造
在TSOPII封装的SRAM安装在FR4的
环氧基板。访问时间是85 ， 100和
120ns.
该SYS82000RKXD提供标准和低
动力版本，使用-L模块具有低
电压数据保持方式为电池供电
应用程序。
特点
•
85 /100 / 120ns的访问时间。
•
36引脚行业标准的单直插式封装。
•
5伏电源± 10％。
•
功耗：
工作（分周期）
待机-L版（ CMOS）的
•
完全静态操作。
•
平等的机会和循环时间。
•
低电压V
CC
数据保留。
•
直接TTL兼容。
•
板载解码&电容器。
•
兼容SYS8512RKX ， SYS81000RKXB
和SYS82000RKX模块。
610毫瓦（最大值）。
2.2毫瓦（最大） 。
框图
A0~A18
D0~7
/ WE
/ OE
引脚德网络nition
A20
VCC
WE
D2
D3
D0
A1
A2
A3
A4
GND
D5
A10
A11
A5
A13
A14
A19
CS
A15
A16
A12
A18
A6
D1
GND
A0
A7
A8
A9
D7
D4
D6
A17
VCC
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
/ CS
/ CS
/ CS
/ CS
/ CS
A19
A20
解码器
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
无连接
电源（+ 5V）的
地
A0 - A20
D0 - D7
CS
WE
OE
NC
V
CC
GND
包详细信息
塑料36针单直插（ SIP ）
MOSAIC [ MOSAIC ]
