SYS82000RKXD - 70/85/10/12
1.3发行2000年2月
直流工作条件
绝对最大额定值
(1)
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
符号
V
T(2)
P
T
T
英镑
民
-0.3
-
-55
典型值
-
4.0
-
最大
7.0
-
125
单位
V
W
o
C
注：（ 1 ） ，超出上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值
并且该装置在超过或高于任何其他条件的功能的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
AI
民
4.5
2.2
-0.3
0
-40
典型值
5.0
-
-
-
-
最大
5.5
V
CC
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
（商业）
（工业级）
DC电气特性
(V
CC
=5V±10%)
T
A
0到70
o
C
参数
的I / P漏电流
符号测试条件
地址， OE ， WE
最小值典型值
-4
-4
-
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
最大单位
4
4
110
12
8
400
0.4
-
µA
µA
mA
mA
mA
µA
V
V
I
LI
I
LO
I
CC1
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
CS = V
IH ，
V
I / O
= GND到V
CC
分钟。周期， CS = V
IL
,V
IL
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
IH
CS = V
IH
CS
＆ GT ;
V
CC
-0.2V ， 0.2<V
IN
＆ LT ; V
CC
-0.2V
CS
＆ GT ;
V
CC
-0.2V ， 0.2<V
IN
＆ LT ; V
CC
-0.2V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
输出漏电流
平均电源电流
待机电源电流
TTL电平
CMOS电平
-L版（ CMOS）的
I
SB1
I
SB2
I
SB3
V
OL
V
OH
输出电压
典型值是在V
CC
=5.0V,T
A
=25
o
C和指定的加载。
电容
(V
CC
=5V±10%,T
A
=25
o
C)
注：电容计算，不进行测量。
参数
输入电容
（地址， OE ， WE）
I / P电容
（其他）
I / O容量
符号测试条件
C
IN1
C
IN2
C
I / O
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
最大
32
8
40
单位
pF
pF
pF
2
MOSAIC [ MOSAIC ]
