4M ×8 SRAM模块
SYS84000RKX - 85/10/12
问题1.7 ： 2001年4月
描述
该SYS84000RKX是塑料32兆的静态RAM
模块封装在一个标准的38引脚单列直插
包装组织为4M ×8与存取时间，
85100 ，或120纳秒。
该模块使用8 512Kx8 SRAM的构建
在TSOPII封装安装在一FR4两侧
环氧基板。这提供了一个非常高的印刷电路板
堆积密度。
该器件提供标准和低功耗的版本，
用-L模块具有低电压的数据保存
模式的电池供电应用。缓冲
所提供的模块上，以减少输出电容
以驱动8pF （典型值） 。
注意： CS和OE模块上，应使用
小心，以避免上下车板总线争用。
特点
•
对85/100/120 ns访问时间。
•
低功耗Disipation ：
操作
770毫瓦（最大）
待机-L版（ CMOS ） 4.84mW （最大）
•
5伏电源± 10％。
•
完全静态操作。
•
平等的机会和循环时间。
•
低电压V
CC
数据保留。
•
板载解码&电容器。
•
38引脚单列直插式封装（ SIP ） 。
•
升级到SYS88000RKX （ 64Mbits ） 。
框图
引脚德网络nition
NC
A20
VCC
WE
D2
D3
D0
A1
A2
A3
A4
GND
D5
A10
A11
A5
A13
A14
A19
CS
A15
A16
A12
A18
A6
D1
GND
A0
A7
A8
A9
D7
D4
D6
A17
VCC
OE
A21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
OE
WE
A0 - A18
512K ×8
SRAM
CS
CS
CS
CS
T / R
A19
A20
A21
Q0~3
解码器
Q4~7
D0 - D7
D0 - D7
/8
CS
CS
512K ×8
SRAM
OE
CS
CS
CS
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
无连接
电源（+ 5V）的
地
A0 - A21
D0 - D7
CS
WE
OE
NC
V
CC
GND
包详细信息
塑料38脚单直插（ SIP ）
MOSAIC [ MOSAIC ]
