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SYS8512FKXL-10 参数 Datasheet PDF下载

SYS8512FKXL-10图片预览
型号: SYS8512FKXL-10
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内容描述: 512K ×8 SRAM模块 [512K x 8 SRAM MODULE]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 60 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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问题5.0 1999年11月
SYS8512FKX-70/85/10/12
写周期第二时序波形
t
WC
地址
t
的AS (3)
t
连续波(2)
t
WR (4)
CS
t
AW
t
可湿性粉剂(1)
WE
t
WHZ(5)
t
OW
高-Z
t
DW
t
OH
(7)
(8)
CARE
DOUT
高-Z
t
DH
DIN
AC特性备注
( 1 )在重叠( T A写操作
WP
)低CS和低WE 。
(2) t
CW
从CS的早期测定或WE变高到写周期的结束。
(3) t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
(4) t
WR
从最早的CS测量或WE变高到写的末尾。
( 5 )在此期间, I / O引脚的输出状态。输入信号的相位不能被应用。
( 6 )如果同时CS变低,与我们是否低,或WE变低​​后,输出保持在高阻抗状态。
(7) D
OUT
处于相同相位的该写周期中写入的数据。
(8) D
OUT
是下一个地址的读数据。
( 9 )如果CS为低电平,在此期间, I / O引脚的输出状态,输入的相位不得用于I / O引脚。
( 10 )这个参数进行采样,而不是100 %测试。
(11) t
WHZ
被定义为在所述输出达到开路条件和没有被引用到输出电压的时间
的水平。这个参数进行采样,而不是100 %测试。
数据保存波形
VCC
数据保持方式
4.5V
4.5V
t
CDR
2.2V
t
R
2.2V
V
DR
CS >的Vcc -0.2V
0V
CS
6