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V29C51001T-45T 参数 Datasheet PDF下载

V29C51001T-45T图片预览
型号: V29C51001T-45T
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内容描述: 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 16 页 / 77 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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MOSEL VITELIC
Waveforms of CE Controlled-Program Cycle
t
WC
ADDRESS
5555H
PA
t
AS
t
AH
WE
PA
(1)
V29C51001T/V29C51001B
t
RC
OE
t
WP
CE
t
OES
t
WPH
t
DS
t
DH
I/O
A0H
PD
(2)
I/O7
D
OUT
t
OH
51001-09
t
WHWH1
t
DF
t
OE
Waveforms of Erase Cycle
(1)
t
WC
ADDRESS
5555H
t
AS
2AAAH
5555H
t
AH
CE
5555H
2AAAH
SA
OE
t
WP
WE
t
CS
t
DS
t
DH
I/O
AAH
55H
80H
AAH
55H
t
WPH
10H for
Chip Erase
30H
51001-10
NOTES:
1. PA: The address of the memory location to be programmed.
2. PD: The data at the byte address to be programmed.
3. SA: The sector address for Sector Erase. Address = don’t care for Chip Erase.
V29C51001T/V29C51001B Rev. 0.8 October 2000
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