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    V62C21164096L-85BI 参数 Datasheet PDF下载

    V62C21164096L-85BI图片预览
    型号： V62C21164096L-85BI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×16 ， 0.20微米CMOS静态RAM [256K x 16, 0.20 um CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 174 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V62C21164096L-85BI的Datasheet PDF文件第9页  
    V62C21164096
    NOTES:
    1. t
    RC
    = Read Cycle Time
    2. T
    A
    = +25°C.
    CILETIV LESOM
    Symbol
    V
    DR
    Data Retention Characteristics
    Parameter
    V
    CC
    for Data Retention
    CE
    1
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V, CE
    2
    < 0.2V, V
    IN
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V,
    or V
    IN
    ≤
    0.2V
    Data Retention Current
    CE
    1
    ≥
    V
    DR
    – 0.2V, CE
    2
    < 0.2V, V
    IN
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V,
    or V
    IN
    ≤
    0.2V, V
    DR
    = 1.2V
    Com’l
    L
    LL
    Ind.
    L
    LL
    t
    CDR
    t
    R
    Chip Deselect to Data Retention Time
    Operation Recovery Time (see Retention Waveform)
    Power
    Min.
    1.2
    Typ.
    (2)
    —
    Max.
    3.0
    Units
    V
    I
    CCDR
    —
    —
    —
    —
    0
    t
    RC(1)
    1
    0.5
    —
    —
    —
    —
    3
    2
    5
    4
    —
    —
    µA
    ns
    ns
    Low V
    CC
    Data Retention Waveform (CE Controlled)
    Data Retention Mode
    V
    CC
    2.3V
    t
    CDR
    CE
    1
    2.0V
    CE
    1
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V
    V
    DR
    ≥
    1.2V
    t
    R
    2.0V
    2.3V
    V62C21164096 Rev. 1.6 October 2001
    5

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