茂矽
MS7200L/7201AL/7202AL
256 ×9 ， 512× 9 ， 1K ×9
CMOS FIFO
说明
MS7200L/7201AL/7202AL
特点
s
先入/先出的静态RAM基于双端口
内存
s
三种密度在X9的配置
s
低功率版本
s
包括空，满，半满状态标志
s
直接替代行业标准
莫什特克和IDT
s
超高速可提供30 MHz的FIFO中
33毫微秒的周期时间。
s
在深度和广度全面扩展
s
同步和异步读写
s
自动重发功能
s
TTL兼容接口，单5V ±10 ％
电源
s
采用28引脚300万和600万的塑料
DIP ， 32引脚PLCC和330万SOG
销刀豆网络gurations
28引脚PDIP
W
D8
D3
D2
D1
D0
XI
FF
Q0
Q1
Q2
Q3
Q8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
V
CC
D4
D5
D6
D7
FL / RT
RS
EF
该MS7200L / 7201AL / 7202AL是双端口
静态RAM的CMOS先入/先出（ FIFO）的
组织了9位字宽的回忆。该
设备被配置成使得数据被读出在
相同的顺序，这是书面英寸
附加扩展逻辑被设置，以允许
无限扩展两个词的大小和深度。
双端口RAM阵列内部测序
由独立的读写指针没有
外部寻址需要。读取和写入
操作是完全异步的，并且可能会发生
同时，即使在该装置操作
全面提速。提供了完整的，空的状态标志，
和半满状态，消除数据下溢
和溢出。该X9架构提供了一个
其可被用作奇偶校验附加位或
控制位。此外，该器件提供了重发
该功能复位读指针，并允许
用于从数据的开头重新发送。
该MS7200L / 7201AL / 7202AL处于可用
百纳秒 - 从10到30兆赫（33的频率范围内
循环次数） 。低功率版采用了500μA
断电电源电流是否可用。他们是
在茂矽，华智的高性能制造
1.2μ CMOS工艺，并采用5V单电源工作
电源。
300 MIL
600万
DIP
＆放大器;
330万
SOG
框图
数据输入（ Q0 - Q8 ）
22
21
20
19
18
17
16
15
XO / HF
Q7
Q6
Q5
Q4
R
W
写
控制
写
指针
内存
ARRAY
256x9
512x9
1Kx9
读
指针
32引脚PLCC
VCC
三
状态
缓冲器
数据输出（ Q0 - Q8 ）
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D6
D7
NC
FL / RT
RS
EF
XO / HF
Q7
Q6
NC
D3
D8
D4
4
D2
D1
D0
XI
FF
Q0
Q1
NC
Q2
5
8
7
8
9
10
11
14
13
3
2
1 32 31 30
D5
W
R
读
控制
RESET
逻辑
旗
逻辑
EF
HF
FF
RS
FL / RT
32引脚PLCC
顶视图
14 15 16 17 18 19 20
VSS
NC
XI
扩张
逻辑
Q8
R
Q4
Q3
Q5
XO
MS7200L / 01AL / 02AL 1.0版1995年1月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
