茂矽
V29C51001T/V29C51001B
1兆位( 131,072 ×8位)
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
初步
特点
s
s
s
s
s
s
128Kx8位组织
地址访问时间: 45 , 70 , 90纳秒
单5V
±
10 %的电力供应
扇区擦除模式操作
8KB引导块(锁定)
每个扇区512字节, 256个扇区
- 扇区擦除周期时间: 10毫秒(最大值)
- 字节编程时间周期: 20
µ
S(最大)
最低万擦除 - 编程周期
低功耗
- 读操作工作电流: 20毫安(典型值)
- 活动程序电流: 30毫安(典型值)
- 待机电流: 100
µ
A(最大值)
硬件数据保护
低V
CC
编程禁止低于2.5V
自定时编程/擦除与最终操作
的周期检测
- 数据查询
- 触发位
CMOS和TTL接口
有两个版本
- V29C51001T (顶部引导块)
- V29C51001B (底部引导块)
包:
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚PLCC
s
s
s
s
s
s
s
该V29C51001T / V29C51001B是高速
131,072 ×8位CMOS闪存。程序设计
或擦除设备与一个5伏完成
电源。该设备有独立的芯片使能
CE,计划让WE和输出使能OE
控制,以消除总线争用。
该V29C51001T / V29C51001B提供combi-
民族的特点:与扇区擦除引导块
模式。被检测到编程/擦除周期的结束
由I数据查询/ O
7
或切换位I / O
6
.
该V29C51001T / V29C51001B有
扇区擦除操作,让每个部门
被擦除和重新编程,而不影响
存储在其他部门的数据。该设备还
支持整片擦除。
引导块架构使该器件能够
从受保护的部门的引导加载无论是在
顶( V29C51001T )或底部( V29C51001B )
部门。所有的输入和输出的CMOS和TTL
兼容。
该V29C51001T / V29C51001B是理想的
需要更新的代码和数据的应用程序
存储。
s
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
包装外形
P
•
T
•
J
•
45
•
访问时间(纳秒)
70
•
90
•
动力
温度
标志
空白
标准。
•
2000 V29C51001T / V29C51001B版本0.8月
1