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V29C51001T-90P 参数 Datasheet PDF下载

V29C51001T-90P图片预览
型号: V29C51001T-90P
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内容描述: 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 77 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
功能框图
V29C51001T/V29C51001B
X解码器
1,048,576位
存储单元阵列
A
0
–A
16
地址缓冲器&门锁
y解码器
CE
OE
WE
控制逻辑
I / O缓冲器&数据锁存器
I / O
0
-I / O
7
51001-05
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试mSetup
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值。
6
8
8
马克斯。
8
12
10
单位
pF
pF
pF
注意:
1.电容进行采样,而不是100 %测试。
2. T
A
= 25
°
C,V
CC
= 5V
±
的10%中,f = 1兆赫。
闭锁特性
(1)
参数
输入电压相对于GND上的
9
, OE
输入电压相对于GND的I / O地址或控制引脚
V
CC
当前
注意:
1.包括除V所有引脚
CC
。测试条件: V
CC
= 5V ,一个销的时间。
分钟。
-1
-1
-100
马克斯。
+13
V
CC
+ 1
+100
单位
V
V
mA
AC测试负载
+5.0 V
IN3064
或同等学历
设备下
TEST
IN3064或等效
C
L
= 100 pF的
6.2 kΩ
IN3064或等效
IN3064或等效
51001-06
2.7 kΩ
2000 V29C51001T / V29C51001B版本0.8月
3