茂矽
V29C51000T/V29C51000B
512K位（ 65,536 ×8位）
5伏CMOS FLASH MEMORY
描述
初步
特点
s
s
s
s
s
s
64Kx8位组织
地址访问时间： 45 ， 70 ， 90纳秒
单5V
±
10 ％的电力供应
扇区擦除模式操作
8KB引导块（锁定）
每个扇区512字节， 128个扇区
- 扇区擦除周期时间： 10毫秒（最大值）
- 字节编程时间周期： 20
µ
S（最大）
最低万擦除 - 编程周期
低功耗
- 读操作工作电流： 20毫安（典型值）
- 活动程序电流： 30毫安（典型值）
- 待机电流： 100
µ
A（最大值）
硬件数据保护
低V
CC
编程禁止低于3.2V
自定时编程/擦除与最终操作
的周期检测
- 数据查询
- 触发位
CMOS和TTL接口
有两个版本
- V29C51000T （顶部引导块）
- V29C51000B （底部引导块）
包：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚TSOP -I
- 32引脚PLCC
s
s
s
s
s
s
s
该V29C51000T / V29C51000B是高速
65,536 ×8位CMOS闪存。程序设计
或擦除设备与一个5伏完成
电源。该设备有独立的芯片使能
CE，计划让WE和输出使能OE
控制，以消除总线争用。
该V29C51000T / V29C51000B提供combi-
民族的特点：与扇区擦除引导块
模式。被检测到编程/擦除周期的结束
由I数据查询/ O
7
或切换位I / O
6
.
该V29C51000T / V29C51000B有
扇区擦除操作，让每个部门
被擦除和重新编程，而不影响
存储在其他部门的数据。该设备还
支持整片擦除。
引导块架构使该器件能够
从顶部（ V29C51000T ）或底部引导
（ V29C51000B ）部门。所有的输入和输出
CMOS和TTL兼容。
该V29C51000T / V29C51000B是理想的
需要更新的代码和数据的应用程序
存储。
s
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
包装外形
P
•
T
•
J
•
45
•
访问时间（纳秒）
70
•
90
•
温度
标志
空白
2000 V29C51000T / V29C51000B版本0.5月
1
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
