茂矽
功能说明
该V29C51001T / V29C51001B由256
的每个512字节大小相等的扇区。 8 KB
上锁的引导块是用于存储的
系统BIOS的启动代码。引导代码是第一
这段代码每次执行系统
开机或重新启动。
该V29C51001有两个版本可供选择：
V29C51001T与引导块地址开始
从1E000H至1FFFFH和V29C51001B
从00000H引导块地址开始
到1FFFFH 。
V29C51001T
8KB引导块
512
512
•
•
•
V29C51001T/V29C51001B
V29C51001B
1FFFFH
1E000H
512
512
•
•
•
512
512
01FFFH
512
00000H
00000H
8KB引导块
51001-13
512
读周期
读周期是由同时持有CE进行
和OE信号为低电平。数据输出成为唯一有效的
当满足这些条件。在读周期
我们必须CE和OE变低前高。
我们必须在读取操作期间保持高电平
对所读取的完成（见表1） 。
8KB引导块= 16个扇区
序列或中断发生。在这
情况下，在正常操作（读取模式）可以是
通过发出一个“不存在的”命令恢复
序，例如地址： 5555H ，数据FFH 。
输出禁用
返回OE或CE高，以先到者为准
将终止读操作，然后将升/ O
引脚处于高阻抗状态。
字节的程序循环
该V29C51001T / V29C51001B编程
在逐字节的基础。字节编程
通过使用特定的4 -巴士─发起操作
周期序列：两个解锁程序周期中，
程序设置的命令和程序数据
方案周期（见表2）。
在字节编程周期，地址是
锁存CE或WE的下降沿，
取最后一次。数据被锁存，上升沿
CE或WE的，以先到为准。字节编程
周期可控制CE或WE控制。
待机
该设备将在CE进入待机模式
信号是高电平。所述升/ O引脚被放置在
HIGH -Z ，独立于OE信号。
命令序列
该V29C51001T / V29C51001B不
提供“复位”功能，将芯片恢复到它的
正常状态下，当一个不完整的命令
表1.操作模式解码
解码模式
读
字节写
待机
自动选择设备ID
自选厂商ID
启用引导块保护锁
禁用引导块保护锁
输出禁用
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
H
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
H
V
H
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
A
0
A
0
A
0
X
V
IH
V
IL
X
X
X
A
1
A
1
A
1
X
V
IL
V
IL
X
X
X
A
9
A
9
A
9
X
V
H
V
H
V
H
V
H
X
I / O
读
PD
高-Z
CODE
CODE
X
X
高-Z
注意事项：
1， X =无关，V
IH
=高，V
IL
=低。 V
H
= 12.5V最大。
2. PD：在字节地址中的数据进行编程。
2000 V29C51001T / V29C51001B版本0.8月
9
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
