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    V29C51002T 参数 Datasheet PDF下载

    V29C51002T图片预览
    型号： V29C51002T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2兆位262,144 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 76 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第11页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第13页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第14页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第15页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第16页  
    茂矽
    字节的程序算法
    写字节写
    命令序列
    V29C51002T/V29C51002B
    芯片/扇区擦除算法
    WRITE ERASE
    命令序列
    添加/数据
    5555H/AAH
    添加/数据
    5555H/AAH
    2AAAH/55H
    四巴士
    周期
    顺序
    5555H/A0H
    2AAAH/55H
    5555H/80H
    六总线
    周期
    顺序
    PA / PD
    5555H/AAH
    数据轮询或切换位
    成功完成
    或T
    WTWH （ 2或3）
    TIMEOUT
    2AAAH/55H
    写作
    已完成
    5555H / 10H （芯片擦除）
    SA / 30H （扇区擦除）
    数据轮询或切换位
    成功完成
    或T
    WTWH （ 2或3）
    TIMEOUT
    删除完成
    51002-16
    2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
    12

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