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    V29C51002T 参数 Datasheet PDF下载

    V29C51002T图片预览
    型号： V29C51002T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2兆位262,144 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 76 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V29C51002T的Datasheet PDF文件第11页  
    茂矽
    汉英对照 - 编程周期的波形
    t
    WC
    地址
    5555H
    PA
    t
    AS
    t
    AH
    WE
    PA
    (1)
    V29C51002T/V29C51002B
    t
    RC
    OE
    t
    WP
    CE
    t
    OES
    t
    WPH
    t
    DS
    t
    DH
    I / O
    A0H
    PD
    (2)
    I/O7
    D
    OUT
    t
    OH
    51002-11
    t
    WHWH1
    t
    DF
    t
    OE
    擦除周期波形
    (1)
    t
    WC
    地址
    5555H
    t
    AS
    2AAAH
    5555H
    t
    AH
    CE
    5555H
    2AAAH
    （ 5555H芯片擦除）
    SA
    OE
    t
    WP
    WE
    t
    CS
    t
    DS
    t
    DH
    I / O
    AAH
    55H
    80H
    AAH
    55H
    t
    WPH
    t
    万好万家2
    3
    （ 10H为
    芯片擦除）
    30H
    51002-12
    注意事项：
    1. PA：所述存储器位置的地址进行编程。
    2. PD：在字节地址中的数据进行编程。
    3. SA ：扇区地址的扇区擦除。
    2000 V29C51002T / V29C51002B 2.1版十月
    7

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