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    V29C51004B 参数 Datasheet PDF下载

    V29C51004B图片预览
    型号： V29C51004B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位524,288 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [4 MEGABIT 524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 15 页 / 70 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29C51004B的Datasheet PDF文件第10页  
    茂矽
    读周期波形
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    CE
    t
    CE
    t
    OE
    OE
    t
    OLZ
    WE
    t
    CLZ
    I / O
    高-Z
    t
    OH
    有效的数据输出
    t
    AA
    V29C51004T/V29C51004B
    t
    DF
    有效的数据输出
    高-Z
    51004-09
    对我们控制，项目周期波形
    第三总线周期
    t
    WC
    t
    AS
    地址
    5555H
    t
    CH
    CE
    PA
    t
    AH
    PA
    (2)
    t
    RC
    OE
    t
    OES
    WE
    t
    CS
    t
    WPH
    t
    DS
    t
    DH
    I / O
    A0H
    PD
    (3)
    I / O
    7(1)
    D
    OUT
    t
    OH
    51004-10
    t
    WP
    t
    WHWH1
    t
    DF
    t
    OE
    注意事项：
    1. I / O
    7
    ：输出是写入到设备中的数据的补码。
    2. PA：所述存储器位置的地址进行编程。
    3. PD：在字节地址中的数据进行编程。
    2000 V29C51004T / V29C51004B版本1.5月
    6

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